硼的瞬间增强扩散(transient enhanced diffusion,TED)导致MOS晶体管出现反短沟道效应,阈值电压异常升高,严重影响器件性能和良品......

室温下使用MeV能量级Si,F和O离子对5keV B离子预注入后的n-型单晶Si(100)进行了辐照,应用二次离子质谱仪测试分析了掺杂物B原子的......

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简要地介绍了单晶Si中注入掺杂原子在热激活退火中发生的瞬间增强扩散现象, 综述了该现象发生的可能的微观机制和目前提出的几种抑......