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离子辐照对单晶Si中预注入B原子扩散的影响

来源 :高能物理与核物理 | 被引量 : 0次 | 上传用户：limida

【摘 要】

：

室温下使用MeV能量级Si,F和O离子对5keV B离子预注入后的n-型单晶Si(100)进行了辐照,应用二次离子质谱仪测试分析了掺杂物B原子的分布剖面及其变化.结果表明,高剂量Si,F和O离

【作 者】

：

刘昌龙 B.J.Sealy 

【机 构】

：

中国科学院近代物理研究所,School of Electronic Engineering Information Technology and Mathematics

【出 处】

：

高能物理与核物理

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

注入 瞬间增强扩散 二次离子质谱仪 单晶Si 

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室温下使用MeV能量级Si,F和O离子对5keV B离子预注入后的n-型单晶Si(100)进行了辐照,应用二次离子质谱仪测试分析了掺杂物B原子的分布剖面及其变化.结果表明,高剂量Si,F和O离子的附加辐照可以抑制热激活退火中B原子发生的瞬间增强扩散.在相同的辐照条件下,Si近表面区域中SiO2层的存在更有助于限制B原子的瞬间增强扩散.结合卢瑟福沟道背散射分析和DICADA程序计算对实验结果进行了讨论.

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