智能剥离相关论文
智能剥离(smart cut)技术是近年来刚刚兴起的一种新型的形成SOI材料的方法.它所形成的SOI材料其顶层硅膜具备单体晶硅的优点,同时......
报道了用氦离子注入智能剥离形成SOI结构硅片的新技术，介绍了这种技术的工艺和用剖面透射电镜研究的结果。氦离子用等离子体浸没离......
结合新一代高集成度三维集成电路和新型相变存储技术,以三维相变存储单元阵列的实现为目标,进行了用于存储单元的驱动和开关作用的......
该文回顾了SMART CUT技术的发展历史,就SMART CUT技术中涉及的氢离子注入技术与低温键合技术等关键问题作了一些有益的研究和探讨,......
采用改进的 RCA清洗工艺提高了硅片的低温键合质量 ,提出了一种积聚式缓慢退火剥离方法用于制备智能剥离 SOI (Silicon On Insulat......
采用离子束增强沉积技术在 10 0 mm硅片上制备大面积均匀 Al N薄膜 ,原子力显微镜 (AFM)显示其表面平整光滑 ,均方根粗糙度 (RMS)......
优化了硅片低温直接键合与智能剥离技术的工艺流程,在550℃,2.1×10-2 Pa条件下制备了SOI材料,其顶层单晶Si膜的表面粗糙度为8.5 n......
H和He离子联合注入单晶si可以促使其表面产生发泡、剥落和层离等表面损伤，由此引发了一种有效地制备SOI材料的新方法，即智能剥离技术......
报道了用氦离子注入智能肃离形成ＳＯＩ结构硅片的新技术，介绍了这种技术的工艺和用剖面透射电镜研究的结果。氦离子用等离子体浸没离子注......
SOI技术作为一种全介质隔离技术,有着许多体硅器件不可比拟的优势,如低功耗(泄漏电流小)、速度快(寄生电容小)、抗干扰强、集成密......
部分地，聪明切割的过程，缺陷由尺寸描绘了的结合的效果和在切开前后的内部压力上的 2 纸被使用破裂力学模型学习。有大尺寸的结合的......
绝缘体上锗（Germanium-on-Insulator,GOI）结合了Ge材料及SOI（Silicon-on-Insulator）结构的优点,是一种极具吸引力的Si基新型材料.GOI材......
结合硅片低温键合和中等剂量的氢离子注入，用智能剥离技术成功地制备了φ７６ｍｍ的ＳＯＩ材料，用原子力显微镜（ＡＦＭ）测得表面粗糙度约为７ｎｍ，比普通的抛光硅片......
采用离子束增强沉积技术在100mm硅片上制备大面积均匀AIN薄膜，原子力显微镜（AFM）显示其表面平整光滑，均方根粗糙度（RMS）为0.13nm，满足直接......
结合中等剂量的氢离子注入和阳极键合( Anodic bonding),利用智能剥离技术( Smart-ut) 成功转移了一层单晶硅到玻璃衬底上.采用剖......
为了更深入的了解GaAs经氢离子注入后的剥离特性，实验研究了GaAs晶片经6×10m／cm^2剂量氢离子以不同能量注入，再经过不同温度和不......
与体硅材料和器件比较，ＳＯＩ具有许多独特的优越性，例如高开关速度、高密度、抗辐照、无闩销效应等，因而被称为二十一世纪的微电子技术而引......
将中等剂量的Ｈ＾＋注入到硅单晶中，并结合硅片低温键合及后续热处理形成了智能剥离ＳＯＩ新材料。用热波分析技术对注Ｈ＾＋片的剥离现象进行了无损非......
阐述了利用键合方法转移薄膜材料的技术及其应用。最人竞争力的转移固体薄膜技术主要有键合加选择性腐蚀工艺和注氢智能剥离工艺，这......
采用改进的RCA清洗工艺提高了硅片的低温键合质量，提出了一种积聚式缓慢退火剥离方法用于制备智能剥离SOI（Sillicon On Insulator) ......
ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技术被认为是２１世纪的硅集成电路技术，近年来，国际上出现了一种引人注目的ＳＯＩ制备新技术－智能剥离（Ｓｍａｒｔｃｕｔ）技术，它的出现为解决ＳＯＩ技术中质量与价格的矛......
碳化硅作为新一代宽禁带半导体材料，在高温，高频，高功率，抗辐照电子器件中有着十分广阔的潜在应用前景，文章结合作者的工作，综述了离子束......
SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力，而通过特定的改性处理后，SOI的抗总剂量能力也可以得到大幅度的提高。SOI材料主流的制备方法包括S......
SOG材料与传统SOI材料一样,拥有许多优良的电学性能,例如SOG电路具有高开关速度、高密度、低压和低功耗等优点.同时由于SOG材料具......
SOI材料被誉为"二十一世纪硅集成电路技术"的基础. 它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等, 在超大规模集成电路......
阐述了SDB-SOI晶片的减薄技术的特点和要求,依次介绍了化学机械抛光、电化学自停止腐蚀、等离子抛光技术和智能剥离技术的原理和特......
sSOI(Strained Silicon On Insulator,绝缘体上应变硅)技术结合了应变硅和SOI的各自优点,显著的提高了材料和器件的性能。目前sSOI......
sSOI(strained Silicon On Insulator,绝缘体上应变硅)结合了应变技术与SOI技术的优点,一方面提高了载流子的迁移率,另一方面也减......
