SOI材料相关论文
本文分析了SIMOX/SOI和DWB/SOI结构的性能特点.尝试用DWB/SOI材料制备不同波导层厚度的平面光波导样品,并测试了1.15 μm和1.523 ......
绝缘体上硅(SOI)材料的激光损伤特性研究对基于该材料的光学器件在激光环境中的应用具有重要价值。本文使用1064 nm脉冲激光对SOI......
通过制备非对称结构SOI脊型波导,设计并优化得到一个偏振相关损耗标准样品,通过与标准单模光纤耦合封装,实现了偏振相关损耗测试仪......
SOI（Silicon-On-Insulator）材料由于其在低功耗、高速CMOS器件方面的应用，被称为“二十一世纪的硅基础电路技术”。同时，它也具备许多......
现代光子技术的发展对器件的集成性，片上器件密度、功能、性能等要求越来越高，这使得单芯片上光波导之间交叉次数大大增加。同时，SOI（S......
随着生活水平的提高,人们对高生活品质的定义愈加全方位多层次,包括生活设施的便利便捷、环境的清洁舒适、疾病的控制预防、食品的......
SOI(Silicon-on-Insulator)材料,即绝缘体上的硅材料,被国际上公认为“二十一世纪硅集成电路技术”的基础。它能突破体硅材料的诸......
用电子束蒸发氧化铪靶的方法,在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃,300s)。借助掠角X射线......
介绍了体硅CMOS器件单粒子锁定原理,讨论了抗单粒子锁定指标、器件制造工艺和电路防护设计方法。对某工业级DDS器件抗单粒子锁定电......
阵列波导光栅(AWG Arrayed Waveguide Grating)是实现多通道密集波分复用(DWDM Dense Wavelength Division Multiplexing)光网络的......
基于以SOI材料为衬底的Si线波导,设计了一种光缆线路自动监测系统中的1×2阵列波导光栅波分复用器,对应两波长分别为1550nm、1625n......
在SIMOXSOI材料外延生长硅层时，存在电阻率较高的过渡层。对衬底研究表明，SOI层呈现高阻。采取不同温度对衬底进行退火，结果表明：合适......
报道了应用双指数函数对大注量氧注入硅的背散射谱进行拟合,成功地分离出注入的氧峰.数据处理结果表明,氧注量的均匀性以标准偏差......
根据REUSRF原理，对器件参数进行优化。采用与常规CMOS工艺兼容的技术，在SIMOX片上制备了薄膜SOI LDMOS功率器件。器件呈现良好的电学......
设计了一种新型的、基于SOI材料的可调谐光衰减器,其调制区采用了独特的双脊型PIN结构,增强了注入电流场与光场的重叠,提高电注入......
通过参考有关文献关于卢瑟福背向散射能谱（rutherford back scattering spectrometry，RBS）、透射电镜（transmission electron microsco......
本文探讨了两类重要的辐射环境及集成电路总剂量效应的运作原理，阐述了几种先进半导体材料与器件，着重分析了SOI工艺的辐射加固技术，......
随着集成技术进入亚微米阶段,传统的硅基集成电路由于存在闩锁等不利因素,使其应用受到了限制.而基于SOI材料的微电子技术是能突破......
设计并制造了一种基于SOI材料的直波导可调谐光衰减器,其调制区采用了独特的双脊型PIN结构,增强了注入电流场与光场的重叠,提高电......
用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了 SOI材料 , 卢瑟福背散射 /沟道谱 (RBS/C)和扩展电阻 (SPR)的结果表明获得的 SOI材料上......
报道了基于SOI(silicon-on-insulator)材料的光波导和集成波导光开关矩阵的最新研究进展.给出了截面为梯形的脊波导的单模条件,设......
异质外延法是目前制备新型 SOI材料的技术途径之一.采用低压化学气相沉积技术(LPCVD)在硅衬底上先外延γ-Al2O3绝缘单晶薄膜,制备......
主要讨论了SOI集成技术及其发展前景,介绍了SOI技术在VLSI应用方面的优越性以及在微电子领域中的广泛应用.......
主要讨论了SOI集成技术及其发展前景,介绍了SOI技术在VLSI应用方面的优越性以及在微电子领域中的广泛应用.......
系统地研究了氧离子注入时基片的温度对形成硅－绝缘体（SOI）材料的影响。研究结果表明：在氧离子注入时基片温度为550℃，注入能量为150keV......
微环谐振腔是一种非常巧妙的谐振结构,它利用光波导构成光学回路形成反馈,从而对某些特定波长的光的输出产生影响。相对传统的光学......
集成光电子学是光学和薄膜电子学相互渗透和促进而产生的学科,其中的硅基光电子技术更是得到了蓬勃发展,尤其是在密集波分复用(DWD......
本文讲述了基于SOI材料的5×5阵列波导光栅(AWG)的设计与器件的制作.设计结果显示,通过选择合适的波导结构可以有效地减小器件......
SOG材料与传统SOI材料一样,拥有许多优良的电学性能,例如SOG电路具有高开关速度、高密度、低压和低功耗等优点.同时由于SOG材料具......
分析了不同波长激光辐照绝缘体上硅(SOI)材料时的相互作用机制。使用ANSYS软件热分析模块,通过有限元方法模拟得到波长分别是355、......
半导体微电子行业经历了近50年的飞跃发展,如今在单个集成电路芯片上集成的逻辑门超过千万个。然而,长期以来光电子器件主要被III-......
ＳＯＩ材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径。从实验的角度提......
随着社会经济的高速发展,人们的生活水平大幅提高,对生活品质的追求渐渐成为主流。而科学技术特别是在传感技术、生物技术的高度发......
绝缘体上硅(Silicon-on-insulator,SOI)材料因在微电子、光电子领域表现出的无与伦比的优势而成为微光机电系统的重要材料之一,其......
学位
随着光通信技术的飞速发展,高密度集成、高可靠性、智能化和低成本的集成光互连网络成为光通信系统的发展方向,光互连代替电互连成......
光栅是一个历久弥新的光学器件，随着现代微纳米加工生产技术和集成光路的发展，尤其是硅基光电子的发展，光栅也在不停的发展及完善中，与......
Internet对网络带宽日益增长的要求为波分复用（Wavelength DivisionMultiplexing,WDM）器件和系统创造了一个快速增长的市场,许多不同......
注氧隔离法 (SIMOX)和体硅智能剥离法 (smart cut)是目前制备绝缘体上的硅 (SOI)材料的最重要的两种方法。而离子注入是其中最主要......
