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报道了应用双指数函数对大注量氧注入硅的背散射谱进行拟合,成功地分离出注入的氧峰.数据处理结果表明,氧注量的均匀性以标准偏差表示为7.8%,基本上达到了设计要求.计算了注氧层和表面硅层的厚度,并且还对注量进行了校正.
LC—14型强流氧注入机注入均匀性的背散射分析报告
【摘 要】
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报道了应用双指数函数对大注量氧注入硅的背散射谱进行拟合,成功地分离出注入的氧峰.数据处理结果表明,氧注量的均匀性以标准偏差表示为7.8%,基本上达到了设计要求.计算了注
【机 构】
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北京师范大学低能核物理研究所,信息产业部电子第四十八研究所,北京师范大学物理学系,北京师范大学物理学系
【出 处】
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北京师范大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2002年2期
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