SOI材料相关论文
对多孔硅在HF/HO溶液的腐蚀行为进行了研究,与通常硅的腐蚀行为不同,多孔硅以孔内腐蚀为主,最后硅柱一起坍塌,多孔硅相对于硅有很......
在SOI材料的制备技术中,为了减少离子的浪费和提高注入能量,避免采用更大的真空室和高压脉冲调制器,本文提出了直流等离子体浸没式......
利用高斯光束耦合理论分析了SOI波导光电器件的回波损耗,并且采用倾斜3.37度抛光SOI波导端面和在波导端面镀减反膜的方法提高了器......
采用氧氮共注的方法制备了SIMON圆片,对制备的样品进行了二次离子质谱和透射电镜分析,并进行了埋层结构与抗辐射性能的机理分析.结......
本文描述SOI材料制备工序中,注氧机对SOI材料在离子注入过程中产生粒子污染,影响其顶层硅的性能,结合SIMS测试和ICP-ABS测试的结果......
利用硅刻蚀技术，包括干法刻蚀、湿法各向异性刻蚀、或是干湿相结合，可以制作出实现光波导弯曲的具有低插入损耗的集成微镜。而将集成......
本文分析了SIMOX/SOI和DWB/SOI结构的性能特点.尝试用DWB/SOI材料制备不同波导层厚度的平面光波导样品,并测试了1.15 μm和1.523 ......
在外延气氛中对SIMOX/SOI样品作了不同条件的烘烤.RBS分析表明,高温外延气氛对SIMOX/SOI结构有严重的损伤,主要表现为H_2对表层硅......
提出了一种可用于高压SOILDMOS器件的SOI材料的工艺制备技术。通过该工艺技术，获得了第一埋氧层图形化的Si/SiO2/Poly/SiO2/Si5......
ＳＯＩ－ＣＭＯＳ电路具有高速度、低功耗、抗辐照等优点。用氧、氮离子注入硅中，得到性能良好的ＳＩＭＯＸ和ＳＩＭＮＩ薄膜材料。用扩展电阻、霍耳效应和深能级瞬态谱等......
通过制备非对称结构SOI脊型波导,设计并优化得到一个偏振相关损耗标准样品,通过与标准单模光纤耦合封装,实现了偏振相关损耗测试仪......
现代光子技术的发展对器件的集成性，片上器件密度、功能、性能等要求越来越高，这使得单芯片上光波导之间交叉次数大大增加。同时，SOI（S......
随着生活水平的提高,人们对高生活品质的定义愈加全方位多层次,包括生活设施的便利便捷、环境的清洁舒适、疾病的控制预防、食品的......
SOI(Silicon-on-Insulator)材料,即绝缘体上的硅材料,被国际上公认为“二十一世纪硅集成电路技术”的基础。它能突破体硅材料的诸......
等离子平板显示器PDP作为新一代显示器具有广阔的应用前景,其行驱动芯片由于耐压要求较高(200V)、频率较快(1MHz),成为PDP的几个核......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
期刊
用电子束蒸发氧化铪靶的方法,在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃,300s)。借助掠角X射线......
介绍了体硅CMOS器件单粒子锁定原理,讨论了抗单粒子锁定指标、器件制造工艺和电路防护设计方法。对某工业级DDS器件抗单粒子锁定电......
阵列波导光栅(AWG Arrayed Waveguide Grating)是实现多通道密集波分复用(DWDM Dense Wavelength Division Multiplexing)光网络的......
Piezoresistive pressure sensors with a twin-island structure were successfully fabricated using high quality Unibond-SOI......
本文提出在直接键合前用等离子体活化硅片表面的方法。经活化后表面硅悬挂键明显增加,从而对羟基进行有效的化学吸附。低压气体放......
基于以SOI材料为衬底的Si线波导,设计了一种光缆线路自动监测系统中的1×2阵列波导光栅波分复用器,对应两波长分别为1550nm、1625n......
本文研究了用无质量分析的离子注入机进行95keV(N2~+,N~+)注入、高温退火和薄层外延获得的SOI(Silicon on Insulator)材料的结构与......
在SIMOXSOI材料外延生长硅层时，存在电阻率较高的过渡层。对衬底研究表明，SOI层呈现高阻。采取不同温度对衬底进行退火，结果表明：合适......
本文报道了SOI（Semiconductor On Insulator)材料的场助键合技术，其中包括SiO2-SiO2,Si-SiO2,Si-石英，GaAs－玻璃等的键合，利用各种检测......
报道了应用双指数函数对大注量氧注入硅的背散射谱进行拟合,成功地分离出注入的氧峰.数据处理结果表明,氧注量的均匀性以标准偏差......
给出了估计硅片在键合过程中实际接触面积的理论模型．模型描述了硅片表面的凸起分布及其弹性形变对接触面积的影响．对于满足键合条件......
近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI材料与器件课题组在硅纳米线阵列宽光谱发光方面取得新......
根据REUSRF原理，对器件参数进行优化。采用与常规CMOS工艺兼容的技术，在SIMOX片上制备了薄膜SOI LDMOS功率器件。器件呈现良好的电学......
本文从喇曼光谱原理、实验方法和实验手段上阐述显微喇曼在测试SOI材料局部应力中的应用,详细综述了显微喇曼光谱对各种不同SOI材......
在现在的纸，连续统破裂力学被用来分析聪明切割的过程，启用各种各样的 silicon-on-insulator (SOI ) 的高度有效的制造的一种最近确......
设计了一种新型的、基于SOI材料的可调谐光衰减器,其调制区采用了独特的双脊型PIN结构,增强了注入电流场与光场的重叠,提高电注入......
用电子束蒸发氧化铪靶的方法,在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃,300s).借助掠角X射线衍......
利用ＵＨＶ／ＣＶＤ技术，在较低的温度下，在阳极氧化形成的双层多孔硅上，成功地生长了单晶性好、厚度均匀、电阻率分布合适的硅单晶外延层。这为进一......
结合硅片低温键合和中等剂量的氢离子注入，用智能剥离技术成功地制备了φ７６ｍｍ的ＳＯＩ材料，用原子力显微镜（ＡＦＭ）测得表面粗糙度约为７ｎｍ，比普通的抛光硅片......
开发了一种新型的RF-ZMR技术,其主要特点是高频感应加热器的石墨板和双石墨条位于SOI 样品的同侧.这样可提高垂直于硅片表面方向的......
在红外区熔再结晶ＳＯＩ材料上用ＭＢＥ的方法形成了Ｓｉ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ量子阱结构，在此基础上，采用常规的Ｐ－ＭＯＳ工艺制造出了ＳＯＩ ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金沟道载流子迁移率有所提高。......
采用在阳极化反应时改变电流强度的办法，在高掺杂的P型硅（111）衬底上制备了具有不同多孔度的双层结构多孔硅层。用超高真空电子束蒸发......
利用半导体材料、平面工艺和微机械加工研制触觉传感器是当前触觉传感器研究开发的一个重要方面,其中硅膜片电容式触觉传感阵列则......
通过参考有关文献关于卢瑟福背向散射能谱（rutherford back scattering spectrometry，RBS）、透射电镜（transmission electron microsco......
本文探讨了两类重要的辐射环境及集成电路总剂量效应的运作原理，阐述了几种先进半导体材料与器件，着重分析了SOI工艺的辐射加固技术，......
随着集成技术进入亚微米阶段,传统的硅基集成电路由于存在闩锁等不利因素,使其应用受到了限制.而基于SOI材料的微电子技术是能突破......
<正> 4 制造SOI材料的方法现在,有六种方法可供选用:(1)介质隔离技术;(2)硅/蓝宝石(SOS)隔离技术;(3)氧离子注入隔离(SIMOX)技术;(......
中国科学院上海微系统所SOI（绝缘硅）小组与上海宏力半导体制造有限公司研究人员密切合作，利用双方在SOI材料科学研究和集成电路制造方......
