论文部分内容阅读
本文报道了SOI（Semiconductor On Insulator)材料的场助键合技术，其中包括SiO2-SiO2,Si-SiO2,Si-石英，GaAs－玻璃等的键合，利用各种检测手段对键合材料的键合面积，键合强度，界面形貌及电学特性进行了测试，文中还讨论了场助键合机理，等离子体表面处理方法及场助键合材料的应用实例,结果表明，场助健合技术是一种很大潜力的技术。