APCVD相关论文
概述了TiO2的国内外发展现状,从原理、改性等方面详细介绍了TiO2的光催化特性,并对TiO2的制备方法进行了总结概括。用APCVD法所做......
石墨烯由于自身优异的特性而成为近年来的研究热点,同时,玻璃作为日常生活中的最常见的基础材料,被广泛应用于各种领域。而将二者......
本论文对阳光控制镀膜玻璃、低辐射镀膜玻璃以及自清洁镀膜玻璃进行了全面的综述。基于实现上述几类功能复合的目的，采用适用于在线......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
利用常压化学气相沉积技术,在浮法玻璃线上制备了TiO2自洁薄膜玻璃.研究了水和氧气对薄膜沉积速率的影响,结果表明水和氧气的加入......
本文描述了应用于SiGe外延的分子束外延(MBE)、超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)、常压化学气相沉积(APCVD)、快速热化学气相沉积(RT......
提供了一种工艺简单,原料易得,过程消耗低的制备三维网络状SnO2/C纳米链的新方法。首先利用丁烷燃烧得到三维网络状结构的碳纳米材......
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过APCVD工艺在Si(100)衬底上进行SiC薄膜生长时,严格控制缓冲层生长的工艺条件,即1 300°C碳......
以正硅酸乙酯为源物质,空气为载气,采用常压化学气相沉积法在HP40(25Cr35Ni)合金钢基体上制备了SiO2涂层;研究了沉积温度、源物质......
采用APCVD工艺用硅烷和乙烯为原料在620℃沉积硅薄膜.用AFM观察薄膜表面形貌,用SEM扫描截面测量薄膜厚度.FTIR光谱表明薄膜中存在S......
通过模拟浮法在线APCVD法生产TiO镀膜玻璃工艺,详细研究了玻璃基板温度对TiO薄膜膜层结构、形貌、光催化性能的影响。研究发现,基......
本文利用一种简单的常压化学气相沉积法在氧化石墨烯基底上制备SnO2材料。通过改变沉积参数（氯化亚锡溶液浓度和沉积时间）得到了多种......
为研究APCVD制备p-n结技术在晶硅太阳电池中的应用，对APCVD的原理及实现方式进行了分析。调节温度及气体流量比例，对APCVD制备PSG进......
背封技术可以有效防止硅外延过程中造成的自掺杂现象。讨论了APCVD制备二氧化硅膜工艺中膜厚、淀积温度和O2与SiH4比例等关系,分析......
利用APCVD方法在浮法玻璃表面沉积了TiO2薄膜，并用XRD和AFM分别研究了不同沉积温度下薄膜的晶型结构以及表面形貌。结果表明，随着沉......
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积（APCVD）工艺在电化学腐蚀的多孔硅衬底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长,研究了多......
本文采用低温常压CVD方法制备铝基SiOx陶瓷膜层.以黄铜为对磨材料,使用销-盘式磨损试验机对比研究纯铝表面与SiOx膜层的滑动磨损性......
通过硅烷、乙烯和氮气的混合气体在620下采用常压化学气相沉积(APCVD)法沉积了非晶硅薄膜,讨论了乙烯/硅烷的体积比(R=VC2H4/VsiH4......
报道用常压化学汽相沉积(APCVD)工艺制备TiO x纳米光学薄膜的研究结果,分析衬底温度对薄膜结构及折射率的影响,讨论在抛光硅片及绒......
利用常压化学气相沉积法（APCVD）在玻璃基板上沉积制备了钒（V）掺杂的氮化钛（TiN）薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、光电子能谱仪（XPS）、扫描电子显......
用常压化学气相沉积（APCVD）法，以四氯化钛（TiCl4）、氧气（O2）和氨气（NH3）作为气相反应先驱体，成功制备了掺氮二氧化钛（TiO2）薄膜。XRD、XPS和UV......
异质外延法是目前制备新型 SOI材料的技术途径之一.采用低压化学气相沉积技术(LPCVD)在硅衬底上先外延γ-Al2O3绝缘单晶薄膜,制备......
介绍了APCVD法制备ZnO基TCO薄膜的发展过程,总结了APCVD工艺设备及参数对ZnO基TCO薄膜性能的影响。展望了APCVD法结合浮法玻璃生产......
通过对TCO玻璃的概念、技术指标、种类、制备方法及TCO玻璃生产线的阐述,旨在增强读者对TCO玻璃的了解。......
随着纳米科技的发展和微电子装置的小型化，以纳米线为基块来制备纳米电子和光电子器件引起了广泛注意。由于硅化钛已在微电子器件中......
采用常压化学气相沉积法(APCVD)在玻璃衬底上制备出SnO2薄膜,对薄膜的结构和光致发光性质及退火处理对薄膜结构和发光特性的影响进......
常压化学汽相淀积(APCVD)硼/磷硅玻璃膜(BPSG)已经确定了最佳条件,能更有效地利用反应剂,得到颗粒杂质比以前少得多的玻璃膜。这些......
概述了TiO2的国内外发展现状,从原理、改性等方面详细介绍了TiO2的光催化特性,并对TiO2的制备方法进行了总结概括。用APCVD法所做......
论文介绍了TiO2薄膜光催化和亲水性的研究背景、自清洁特性和原理,比较了各种TiO2薄膜的制备技术和方法,并对其光催化和亲水性的影......
在亚微米的半导体生产制造技术中,二氧化硅工艺中的颗粒污染会造成漏电流形成击穿电压,已经成为产品良率的主要影响因素。文章主要......
我们用常压化学气相沉积法（APCVD），以SiH4和NH3为先驱体，在较低的温度（＜700℃）下制备氮氧化硅（Si-O-N）薄膜，并对其性能进行了研究。研究结果......
本实验用常压化学气相沉积法（ ＡＰＣＶＤ） 在平玻璃基板上沉积了氮化硅薄膜，研究了基板温度、反应气体比例、热处理等对氮化硅薄膜制备的影响，发......
