锗硅材料相关论文
为实现单模光纤与锗硅材料器件的垂直耦合并提高耦合效率，本文提出了一种锗硅光栅耦合器。通过在硅衬底上增加金属反射层来提高光栅......
对Ge0.4Si0.6／Si超晶格探测器光场进行了分析，并用京传播法（BPM）进行模拟。还探讨了这种探测器与Si波导的集成。在Si波导满足单模传输......
通过理论分析计算、计算机模拟和工艺实验,对Si/SiGe异质结双极晶体管(HBT)的结构参数进行了精细的优化设计,特别是采用了本征间隔......
分段温差电元件能够在较宽的温度范围内提高热电转换效率。本文对锗硅(SiGe)、碲化铅(PbTe)材料和碲化铋(Bi2Te3)材料组成的分......
提出了锗硅材料禁带宽度随锗含量、温度及掺杂浓度变化的经验公式,改善了以往经验公式局限性较大的缺点,拓宽了公式的使用范围.分......
本文描述了应用于SiGe外延的分子束外延(MBE)、超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)、常压化学气相沉积(APCVD)、快速热化学气相沉积(RT......
利用分子束外延(MBE) 技术生长了Ge组份为0.1～0.46的Si1-xGex外延层.X射线衍射测试表明,SiGe/Si异质结材料具有良好的结晶质量和陡......
对Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ超晶格探测器光场进行了分析，并用束传播法进行模拟。还探讨了这种探测器与Ｓｉ波导的集成。在Ｓｉ波导满足单模传输的条件下，推出光场在探......
锗硅材料的制造与硅平面工艺相容，且具有优良的电学，光学性能，被称为“第二代硅微电子技术”。在高速异质结双极型晶体管，调制掺杂场效......
我们利用自行研制的ＵＨＶ／ＣＶＤ技术在直径３英雨的硅衬底上生长了锗硅外延层，并进行了实时掺杂生长，采用Ｘ射线双晶衍射和二次离子质谱技术确定了外......
IBM宣布在超密计算机芯片工艺上取得了一项重大突破，已经成功研制出了7nm芯片的可工作样品，这项技术最大的变革在于，其采用的是锗硅材......
通过理论分析计算、计算机模拟和工艺实验,对Si/SiGe异质结双极晶体管(HBT)的结构参数进行了精细的优化设计,特别是采用了本征间隔......
本文综述了目前国内外在工作波长１．３－１．５μｍ的ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格探测器的工作波长为８－１２μｍ的ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结长波长红外探测器方面的研究进展，并分析了存在的问题和材......
提出了锗硅材料带宽度随锗含量，温度及掺杂浓度变化的经验公式，改善了以往经验公式局限性较大的缺点，拓宽了公式的使用范围，分析并计算......
