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离子辐照产生的空位型缺陷对Si中B原子热扩散的影响
使用二次离子质谱仪分析了附加的空位型缺陷对单晶Si中注入B原子热扩散的影响.Si中B原子是通过30keV B离子室温注入而引入的,注入......
期刊
单晶Si
空位型缺陷
B扩散
二次离子质谱仪
透射电子显微镜
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