氮化硅薄膜相关论文
低频声波传感器在自然灾害预警领域、工业领域、地质探测领域和军事领域等都拥有及广阔的应用前景。目前市场上常见的低频声波传感......
本文对采用管式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积的氮化硅与氮氧化硅(SiyNx/SiOxNy)叠层膜进行了实验研究,结果表明:在硅片......
利用PECVD在硅片上沉积SiNχ：H薄膜，研究SiH4 NH。流量比对SiNχ：H薄膜的组分、折射率和钝化效果的影响。X射线光电子能谱(XPS)和椭偏......
本文分别在氢气、氮气和氧气氛下对氮化硅薄膜进行不同时间快速热处理,测其退火后的厚度、折射率、红外吸收光谱的变化.结果发现退......
会议
本文研究了在不同温度下等离子化学气相沉积氮化硅薄膜的特性.发现在220℃~380℃范围内膜的生长速度没有明显的差别,但沉积温度越......
会议
提高太阳能电池表面的氮化硅薄膜材料的折射率是提高太阳能电池转换效率的有效途径。通过分析氮化硅薄膜材料的折射率与PECVD工艺......
低温SiNx的工艺研究在于实现TP on-cell的多层触控.采用多层ITO做为TP的金属层,低温SiNx做为绝缘层.通过研究工艺参数,找到了适用......
本文研究了在不同温度下等离子化学气相沉积氮化硅薄膜的特性.发现在220-380℃范围内薄膜的生长速度没有明显的差别,但沉积温度越......
本文报道了在高温下采用LPCVD方法制备低应力,高透光率氮化硅薄膜的工艺过程.获得的薄膜在低应力,高透光率,以及成品率和重复性方......
GaAs MMIC由GaAs衬底上多种材料结合构成.由于器件结构,工艺过程和材料特性等原因.在器件结构中存在一定的材料应力,应力对器件的......
氮化硅薄膜被广泛应用于硅太阳电池的减反射膜.本文对比了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中有无氢气参与情况下氮化硅薄膜的......
在氢气氛中对氮化硅薄膜进行不同时间快速热处理,测其退火后的厚度、折射率、红外吸收光谱及晶向的变化.结果发现退火后氮化硅薄膜......
利用等离子体化学气相沉积(PECVD)法沉积SiN薄膜,衬底采用多晶硅(厚度大约为330±40μm,电阻率为0.5~2.0Ωcm),采用常规制备参教条......
会议
高张力的氮化硅薄膜由于其对光场的极低吸收和较高的机械振动品质因子，已成为量子光力学研究领域的重要器件，应用于谐振子振动的冷却......
在光谱椭偏测量中，玻璃基底的背反射会给测量结果造成较大影响。针对平板显示器件玻璃基底表面氮化硅镀膜进行了椭偏测量和模型计算......
随着国家海洋强国战略的发展，对测量海洋要素的海洋电导率和温度传感器的性能要求日渐提高，基于MEMS(Micro-electromechanical Micro......
以原子层沉积(ALD)设备及管式PECVD设备制备单晶硅双面太阳电池背表面钝化膜的工艺为研究对象,通过实验讨论了管式PECVD设备采用不......
采用离子辅助/中频磁控反应溅射工艺进行氧化硅、氮化硅、氧化铌薄膜材料的沉积实验,探讨溅射工作条件和工艺参数对于膜层材料的加......
利用RIE技术实施光刻胶图形到衬底上的转移，分析刻蚀气氛、刻蚀功率等对氮化硅薄膜刻蚀的影响.实验结果表明，刻蚀气体采用CHF3，刻蚀RJ......
论述了钇钡铜氧高温超导薄膜在大气中的不稳定性，对比二氧化硅，阐明了氮化硅薄膜作为保护层的优点，并报导了做潮湿实验前后的对比实验......
以二氧化硅、氮化硅薄膜为例论述了紫外光能量辅助化学汽相淀积的反应机制。二氧化硅薄膜的组成为纯ＳｉＯ２；氮化硅薄膜中含有氧元素，组成为......
本文讨论了用辉光放电法制备氮化硅薄膜时衬底温度、射频功率和气体流量比对薄膜的电导率、介电常数和击穿强度的影响。通过优化生......
报道了用 Ｘ 射线母掩模复制子掩模的工艺和用北京同步辐射装置（ Ｂ Ｓ Ｒ Ｆ）３ Ｂ Ｉ Ａ 光刻束线获得的 ０５μｍ 光刻分辨率的实验结果。
The experim......
报道了我们制作深亚微米 x射线掩模的工艺和同步辐射 x射线曝光工艺 ,并报道了我们在北京同步辐射装置 (BSRF) 3B1 A光刻束线所获......
阳极溶出法测定铁国外已有报导。等和等用石墨电极在1M氢氧化钾+2％酒石酸中测定了纯铝中的铁,定量下限达10~(-7)克/毫升。等用石墨......
采用了等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-EnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)在聚酰亚胺(Polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅......
诺发系统有限公司近日推出了SOLA业界首套针对先进介电薄膜的淀积后处理的紫外热处理(UVTP)系统。SOLA为300mm晶圆的大批量生产而......
研究了微波电子回旋共振等离子体化学汽相沉积低温氮化硅薄膜在５—１０６Ｈｚ频率范围内的介电性能．由于低温氮化硅薄膜为具有分形结构的纳米非......
本文介绍了一种光盘用氮化硅薄膜溅射源,旋转磁场加入到静磁场中以调节靶表面空间的磁场分布,降低了氮化硅在靶表面的沉积,同时提......
利用电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术,以氮气为等离子体气源,硅烷为前驱气体在玻璃衬底上低温沉积了氮化硅......
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铸造多晶硅技术因其易实现全自动化控制、产量高、利用率高、成本低等优点,已迅速取代直拉单晶硅技术占据太阳能电池硅材料的主要......
氮化硅SiNx薄膜凭借介电常数高和稳定性好的特点而被广泛应用于光电器件中,但薄膜的厚度对器件的性能有重要影响。针对此问题采用......
微型加速度传感器是应用最为广泛的MEMS传感器之一。三轴微加速度传感器是可以用来同时测量面内X、Y轴和垂直于芯片表面Z轴的微型......
光子的动量会带来辐射压从而对物体有力的作用,这种光与机械振子之间力的相互作用,是光力学的主要研究课题。腔光力学在精密测量、......
微纳加工水平的飞速进步使得固态纳米孔传感技术在近年来取得了很大的进展。不论是在纳米孔信号的分辨率上,还是信噪比的控制上,都......
腔光力学是利用光场与宏观机械振子运动之间的耦合,实现对机械振子运动的光学探测以及对机械振子在量子区域进行控制。氮化硅薄膜......
第一期501光电子集成·····一············································......
为了有效地控制半导体器件的制造工艺,要求精确地确定外延层或外延层上的覆盖层的厚度。而随着集成电路、记忆元件的飞速发展,更......
用不附加另外电源的ＤＣ－ＰＣＶＤ装置沉积Ｓｉ３Ｎ４薄膜，，ＸＲＤ ＴＥＭ检查出这种Ｓｉ３Ｎ４是非晶态、ＩＲ，ＡＥＳ验证这种薄膜的主要成分是Ｓｉ３Ｎ４、ＴＥＭ与ＯＭ研究 薄膜组织结构。
Si3N4 thin films wer......
本文运用俄歇化学效应研究了三种纳米薄膜材料的表面，膜层及界面元素的化学状态。研究结果表明用作可燃气体传感器的氧化锡气敏薄膜......
