利用等离子增强化学气相沉积（PECVD）技术,采用NH_3等离子体预氮化法淀积α-SiN_x介质膜,同时结合layer by layer生长nc-Si的方法一次......

利用微波ECR磁控反应溅射法在室温下制备无氢SiNx薄膜.通过傅里叶红外光谱、X射线电子谱、膜厚仪、纳米硬度仪、原子力显微镜等分......

压电喷墨技术是未来高精度打印的主要发展方向,作为压电喷墨技术核心的压电喷头在图文印刷、印制电路板、3D打印等工业制造领域的......

晶体硅的间接带隙特性使其不适于作为硅基光源材料。因此,硅基光源成为了制约硅基光电子发展的瓶颈问题。而富硅氮化硅（SiNx）具有优......