硅基发光相关论文
我们比较研究了用化学气相沉积和磁控溅射制备的铕掺杂富硅氧化硅(Eu-SRSO)薄膜的发光性质。发现采用化学气相沉积方法制备的Eu-SR......
本文从硅基微电子技术和光电子技术相结合和集成电路光互联需要出发，指出与CMOs工艺完全兼容硅基发光研究的重要意义。并在充分......
纳米硅量子点由于具有与体硅材料不同的独特物理性质，使其在未来的光电器件，包括在硅基发光与硅基光伏器件等方面都有很好的应用前景......
在硅基上实现光电单片集成，能够为微电子器件提供大带宽的光互连，同时为光电子器件提供低廉的制造成本，这使得硅基光电子成为国际上半......
获得硅基发光是实现硅基光电子集成、硅基显示的关键,因此人们对于硅基发光材料的关注程度与日俱增.该论文首先对于硅基锗掺杂二氧......
学位
近几十年来，科学技术的飞速发展已经彻底改变了人们的生活方式，促进了人类社会的不断进步。本文围绕当前信息技术中两个热点领域——......
学位
该论文用不同法来实现硅基纳米结构:或以染色腐蚀法制备的孔硅,或以磁控溅射制备富硅二氧化硅,或采用离子注入来实现的纳米结构.通......
该论文着重研究了半透明Au膜/ (纳米半导体/纳米SiO)多层膜/Si结构的电致发光及其特性,其中的纳米半导体/纳米SiO多膜有如下几种:S......
该论文系统研究了金属膜/纳米介质膜/Si结构的可见或近红外电致发光,其中的纳米介质膜有如下几种:自然氧化硅,SiO,SiO:Si,SiO:Si:A......
单晶硅是现代半导体器件和大规模集成电路的基础材料。然而随着信息技术的高速发展，微电子器件在热稳定性、信号传输速度等方面出现......
SOI技术和多孔硅纳米发光技术研究是当今微电子与光电子研究领域的前沿课题，本文根据科学院创新工程研究工作的需要，开展了多孔硅外......
近年来,人们对信息传递速度的要求越来越高,集成电路在向尺寸更小和速度更快的方向发展。传统集成电路都建立在硅基的基础上,由于......
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光电子集成技术的不断发展,使硅基发光材料成为广泛关注的焦点。近几十年来,各国学者对硅基发光材料和相关器件进行了研究。研究主......
材料基因组计划旨在通过实验、计算和理论的有机整合协同创新,实现新材料研发周期减半,研发成本减半,以期加速在清洁能源、国家安......
<正>"硅基发光,中国创造"、"自主创新,光明万里"——这是全国政协副主席、科技部部长万钢给南昌一家企业的题词。在日美垄断LED芯......
随着集成电路按照摩尔定律继续朝着尺寸更小、处理速度更快、成本更低的方向发展,芯片中的器件集成度越来越高,相应的金属互连结构......
<正>1信息社会的前沿科学领域——硅光子学随着信息科学的深入研究和光通信技术的发展,光的量子传输特性表现得更为明显,光的量子......
近几十年来,由于硅具有优良的电学和机械等性能且在地球上储量丰富,硅材料已被广泛关注。但由于单晶硅是间接带隙半导体,电子跃迁......
回顾了Si基发光的研究历程，归纳分析了新近几种实现Si发光的方法和其优缺点，其中包括多孔Si发光、GeSi／Si量子阱发光、Sip-n结位错发......
期刊
随着人们对信息容量、速度以及成本的迫切要求,低成本、高度集成的硅基光电子学蓬勃发展,成为光通信、高速计算机等领域的研究热点......
按照摩尔定律集成电路特征尺寸的变化,目前主流工艺的互连线的最小线宽已经步入了100nm以下,芯片上的电互连即将到达极限,这带来了......
硅基发光一直是硅基材料和器件研究的重要课题。自从1990年Canham首次发现电化学阳极氧化多孔硅的强室温光致荧光现象以来，各类硅基......
