【摘 要】
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本文研究了在不同温度下等离子化学气相沉积氮化硅薄膜的特性.发现在220℃~380℃范围内膜的生长速度没有明显的差别,但沉积温度越高,则薄膜的折射率越高,少数载流子寿命也明显升高;Si/N比对氢含量、少子寿命、折射率都有所影响.同时研究了在不同温度下氮化硅薄膜的退火特性,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高,少子寿命有很大程度的下降.本文还研究了氮化硅薄膜对多晶硅电池性能的影响,发现能较大幅度地提高
【机 构】
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北京市太阳能研究所(北京) 北京师范大学低能核物理研究所(北京)
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本文研究了在不同温度下等离子化学气相沉积氮化硅薄膜的特性.发现在220℃~380℃范围内膜的生长速度没有明显的差别,但沉积温度越高,则薄膜的折射率越高,少数载流子寿命也明显升高;Si/N比对氢含量、少子寿命、折射率都有所影响.同时研究了在不同温度下氮化硅薄膜的退火特性,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高,少子寿命有很大程度的下降.本文还研究了氮化硅薄膜对多晶硅电池性能的影响,发现能较大幅度地提高电池效率.
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