晶格匹配相关论文
为了减少锂金属的使用和电池的安全隐患,在集流体上制备Li薄膜负极甚至“无Li”负极受到越来越多的关注。然而,集流体的疏锂性和固......
自二十一世纪以来(2009年),有机-无机杂化钙钛矿材料首次尝试应用于光伏领域,因为性能优异、成本低廉,从此引起了越来越多的科研人员......
本文成功设计并生长出了InAlN/GaN/AlGaN/GaN双异质结构材料,表现出优异的高温载流子输运特性,573 K时电子迁移率高达426 cm2/(V·......
由于采用晶格匹配AlInN/AlN/GaN/AlN/GaN双沟道异质结结构设计,异质结同时具有了高电子迁移率和低面电阻的双重特性。笔者研究发现......
基于氮化镓(GaN)的共振遂穿二极管(RTD)在高场下,有着高频率和高输出功率密度的特性,所以RTD有希望在太赫兹辐射和检测领域发挥重......
本文根据Vagard定律,得到了Pb1-xSnxTe/PbTe1-ySey异质结晶格匹配条件,设计了生长参数,首次采用竖直液相外延炉生长了Pb1-xSnxTe/P......
本文从芯片结构、晶格匹配和PN结性能三个方面对碲镉汞多色焦平面探测芯片技术进行了探讨,结果显示在三种主要的双色探测芯片结......
采用提拉法成功生长了氮化镓和氧化锌基外延薄膜晶格匹配的ScA lMgO4单晶衬底材料,晶体呈透明白色,尺寸为30mm×59mm,表面部分沿......
报纸
105量子阱半导体激光器的进展蔡伯荣(成都电子科技大学光电子技术系,610054)本文简要介绍量子结构激光器的新进展。超晶格量子阱概念是70年代初由......
InGaAs/InAlAs/InP异质结构场效应晶体管的选择湿法腐蚀SelectiveWetEtchingforInGaAs/InAlAs/InPHeterostructureField-EffectTransistorsM.Tong等1引言异质结构...
SelectiveWetEtchingforInGaAs / InAlAs / InPhaseStructureField-Effec......
近几年来人们对采用MOCVD技术在GaAs衬底上生长的晶格匹配In_(0·5)(Ga_(1-x)Al_x)_(0·5)P进行了深入的研究,以便开发红光发射(6......
介绍了采用栅长为0.15μm的钝化In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As/InPHEMT的高效W波段功率单片微波集成电路(MMIC)。0.15×320μm单级InP功率HEMTMMIC放大器在94GHz时的最大功率附加效率为23%,输出功率为40mW,功率增益为4.9dB。......
用MOCVD在(100)、GSMBE在(100)和(111)BGaAs上生长了GaInP外延层.PL测试表明,(100)衬底上GaInPPL峰的能量比计算的带隙分别小43(GSMBE生长)和104meV(MOCVD生长).用Kurtz等人的模型对MOCVD和GSMBE生长的GaInP中有序度的不同进行了解释......
采用基于LMTOASA的平均键能计算方法和原子集团展开方法,研究了两组晶格匹配三元合金异质结(AlP)x(Si2)1-x/GaP和(GaP)x(Si2)1-x/GaP的价带带阶ΔEv(x)值。研究表明,两组异质结的ΔEv(x)值......
3.3.在InP和GaAs衬底上生长In-GaAs三元In_yGa_(1—y)As可以用外延方法生长在Ⅲ-V族二元衬底上。当铟的克分子份数y从y=0(纯GaAs)......
利用分子束外延技术,生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器.在腔长900μm时,80μm宽接......
本文首次采用双重肖特基势垒增强层技术,制作了InGaAsMSMS-PD光电探测器.实际结构表明:具有15nm的P-InP和100nmInP双重势垒增强层的器件......
本文对影响InGaAsP/InP激光器阈值电流密度的晶格失配,掩埋异质结构和掺杂控制等问题进行了分析和讨论.从Kuphal和Arai模型着手计算了与InP晶格匹配InGaAsP的熔体组成......
首次采用双重肖特基势垒增强层技术,制作了InGaAs金属-半导体-金属光电探测器。实验结果表明:具有15nm的p-InP和100nm的InP双重势垒增强层的器件,极大地减小了暗......
1.引言外延生长是半导体材料和器件制造的最关键的工艺技术,外延技术的发展与材料及器件的发展互相促进,共同发展。外延生长技术的应用......
对与InP晶格匹配的InGaAsP四元系量子阱材料进行了热稳定性能的研究,通过光荧光谱(PL)的测量发现:量子阱材料在650 ℃以上的常规退火条件下,有最大可达155 ......
AES、XPS分析和XRD谱结果证明:采用低能双离子束淀积(IBD)技术,在GaSb(001)衬底上共淀积生长了闪锌矿结构c-GaN.X光Φ扫描显示,生长薄膜与衬底晶向匹配关系是c-GaN[110]//GaSb[100].由此可以......
宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料中,铍(Be)的硫属化物如BeTe、BeSe 和BeS与ZnSe、ZnS和ZnTe等相比,有较强的共价键性(晶格硬度增大)和大的堆垛层错能,而且与GaAs 有好的晶格匹配。......
采用基于LMTO-ASA的平均键能计算方法和原子集团展开方法,研究了三组典型的晶格匹配三元合金异质结(GaAs)x(Ge2)1-x/GaAs,(AlAs)x(Ge2)1-x/GaAs......
在Al2O3(0001)衬底上用MOCVD(金属有机物气相沉积)方法进行了GaN的外延生长,通过X射线衍射(同步辐射源)研究了GaN和Al2O3(0001)的匹配关系。结果表明,经充分氮化的衬底上,GaN以单......
修正了现行俄歇复合率的公式,并用之分析了晶格匹配GaInAs/AlInAs异质材料系统在有无量子尺寸效应情况下的俄歇复合率随载流子浓度和温度变化的行......
无势垒增强型的金属—半导体—金属光电探测器(MSM-PD)已有过理论分析[1],而对具有完全晶格匹配势垒增强层的MSM-PD则缺乏理论分析。文章将具有完全晶......
设计并研制成功适合人的眼睛安全测距应用的InGaAs雪崩光电二极管(APD)。器件直径为200μm,工作在21℃,1540nm波长时响应度为0.64A/W,典型暗电流和噪声因子分别为30nA和6.5。......
圣巴巴拉加州大学小组发展了第一个室温运转、输出波长 1.55μm的电抽运、全晶格匹配、砷锑化物单块垂直腔激光器。在 In P基质上......
Bandwidth9的研究人员已开发出第一台单片集成电路长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)。这台单横模器件发射波长为1.6μm,完全能在一个适合于批量......
研究了MOVPE生长的与GaAs晶格匹配的 (AlxGa1-x) 0 .51In0 .4 9P(x =0 .2 9)合金的PL谱的温度依赖关系 ,在变温约为 17~ 2 30K范围......
日本富士通公司采用MOCVD方法在Inp衬底上生长晶格匹配In 0 .52A10 .4 8As/In 0 .53Ga 0 .4 7AsHEMT。这种HEMT的 50mmT型Ti/Pe/Au栅制作可在小于 30 0℃下进行 ,并遏制Si......
1 引言在能量的使用中,电力是极端重要和持续增长的一项。仅在美国,电力生产每年就花费600亿美元。而电能的消费不能仅用金钱来衡量,......
以高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管和微波/毫米波集成电路为例,介绍化合物半导体器件的特点、封装、测试及其应用。
Taking......
报道了具有良好直流特性的晶格匹配 InP基 HEMT,器件的跨导为 600mS/mm,阈值电压为-1 2V,最大电流密度为500mA/mm,截止频率为120GH......
通过合理的外延层材料结构设计和改进的器件制备工艺,制备出功率增益截止频率(fmax)为183GHz的晶格匹配InP基In0.53Ga0.47As-In0.5......
报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管.这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高......
根据市场研究公司Stragegies Unlimited最近发表的报告“GaN基器件衬底:性能比较与市场评估”,蓝—紫激光二极管、紫外LED以及高功......
中湾大学的研究人员以氧化锌(ZnO)/蓝光有机材料复合薄膜,制作出白光发光LED。他们利用水热法,成功地在蓝光有机发光薄膜上生长无机ZnO......