铁电体相关论文
采用化学共沉淀法制备（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３粉末，分析了共沉淀产物的热分解过程，确定了结晶温度，同时，标定了材料的晶体结构并计算了晶胞参数，得出了（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３铁电体的......
采用普通陶瓷工艺制备了稀土Nd离子掺杂的铋层状结构Bi3TiTaO9（BTT）压电陶瓷，研究了稀土Nd离子掺杂对BTT陶瓷压电特性及温度稳定性的......
有机-无机压电材料是一种分子铁电体，具有柔性、结构灵活、易成膜、全液相合成及环保节能等优点，可满足新一代薄膜器件及可穿戴设备......
近年来,分子铁电材料由于其优异的结构性能而受到人们广泛关注,其显著特征是易成膜、结构可调性好、柔性高等,可为柔性可穿戴电子......
光电催化分解水是将太阳能转换成绿色无污染的氢能的过程,包括了光阳极的水氧化和光阴极的水还原的两个半反应。水氧化反应过程涉......
人工智能、大数据等技术的发展对计算性能的要求逐步提高,然而,晶体管和存储单元的开发已经达到了微型化的上限。解决方式之一是利......
测试是人们取得研究对象的相关信息,正确了解被测对象特性的重要手段。现代科学技术的飞速发展,对测试设备在功能、测试速度、测试......
为了更好地推动高储能密度和高效率无铅陶瓷介质电容器的研究与发展，本文综合介绍了陶瓷电介质储能材料的储能原理及分类，比较分析了......
基于密度泛函理论的第一性原理计算,本文首次研究了过渡金属卤代磷酸酯MBiP2X6(M=Cu,Ag;X=S,Se)三维晶体和二维晶体的声子色谱和拉......
电介质电容器作为能量存储器件,它凭借着极快的充放电速率和稳定的性能,在储能领域的研究中独具魅力。但随着电介质电容器在当前电......
本文利用铁电体极化反转发射电子的优良特性作为脉冲开关的触发源,是当前脉冲功率技术的一个重要研究方向.本文研究了铁电触发气体......
用全电势线性缀加平面波法(FLAPW)计算了KTaNbO铁电相和顺电相的态密度、能带结构.通过对两相态密度的对比分析发现,在铁电相,钽原......
测量了BiTiO陶瓷及其A和B位掺杂的系列材料介电损耗.在温度损耗谱上观察到一损耗峰,通过氧处理和内耗等相关实验手段,证实该峰(P1......
通过改进的二步法成功制备出(1-x)Pb(Tm1/2Nb1/2)O3-xPbTiO3(PTmN-PT)二元系陶瓷.烧结过程中发现,在PT 含量大于0.3 时,烧结温度不......
铁电体是一类重要的功能材料。目前己发现的铁电体多达上千种，广泛的分布于7个晶系之中。铁电体具有极大的介电系数、明显的介电可......
锂电池电解液研究进展 清华大学化工系张强团队提出锂电池中“锂键”的概念，以理解锂离子与电解液组分及电极材料之间微观相互作......
基于热力学唯象理论对理想化的铁电体的介电和极化现象进行了研究，内容分为：1)单一铁电性的研究：基于电场对一级相变和二级相变铁......
本文通过一种简单的熔盐法，以BaCO3、SrCO3和TiO2为前躯体，以共晶成分的NaCl-KCl为熔盐，成功制备了Sr替代的BaTi2O5粉体。扫描电......
铅镁 niobate 和铅泰坦的 Sol-gel-derived nano粉末吃了稳固的答案(PMN磅或 PMNT )从铅醋酸盐 trihydrate 被准备( Pb ( CH3COO )......
<正>随着光电子学的发展,纳米材料正起着越来越重要的作用.近来的理论研究表明,纳米尺寸的半导体微晶具有较高的三阶非线性极化率......
<正> 近年来,由金属微粒弥散相与氧化物电介质(玻璃或陶瓷)基体所构成的复合材料体系引起了人们的关注。由于这类材料在光学(光吸......
1.概要通常称为电解质的材料中有无机的和有机的两种,为数很多。这些材料特别引人注意的物理性质有介电常数、介电损耗、频率变化......
<正> 铁电体具有很高的介电常数ε,铁磁体具有很高的磁导率μ,两者还各具有许多铁电性或铁磁性效应而提供了丰富的技术应用。若能......
要想制备出性能符合要求的材料,重要的一点就是要弄懂构成多相系统的各物相的物理参量与整个系统的有效参量之间的关系.尤其不可少......
虽然电致伸缩是一种基本的机-电耦合效应,但是对它的实验研究开展得较迟.其原因是由于电致伸缩效应是二次效应,通常由感应产生的形......
铁电体具有很高的介电常数ε,铁磁体具有很高的磁导率μ,两者还各具有许多铁电性或铁磁性效应而提供了丰富的技术应用。若能研制......
本文根据冲击波加载铁电陶瓷的换能原理,建立了斜冲击波加载PZT柱形组件的电响应珲论模型。所考虑的换能装置特点是:(1)柱形组件由......
本文简单介绍了国内外新材料探索的现状、模式识别技术的概要、模式识别与新材料探索的关系,以及其在新材料探索中的应用(例如:合......
在恒温条件下应用数字积分电荷测量方法研究了压电陶瓷中异极性电荷引起的长时间压电弛豫效应。实验判明了同极性和异极性电荷在陶......
采用常规高分辨透射电镜(HRTEM)在层状共生化合物Bi7Ti4NbO21中可经常观察到大量生长缺陷:比如插入额外的Bi3TiNbO9或Bi4Ti3O12层......
采用固相法制备了Ca Cu3Ti4O12多晶块体,研究了其介电常数随温度和频率的变化。结果表明,在温度为300 K、频率为1 k Hz时,多晶块的......
采用基于壳模型的分子动力学模拟方法,研究了存在外延压应变时BaTiO3铁电体的辐射位移效应,以O原子作为初冲原子(primary knock-on......
根据晶体空间群理论,对SrBi_2Ta_2O_9进行了从正交相到四方相的晶体重构,计算出SrBi_2Ta_2O_9在铁电相变中的原子位移,确定了SrBi_......
本实验采用脉冲准分子激光沉积（ＰＬＤ）法，在１９３ｎｍ波长，５Ｈｚ频率，４Ｊ／ｃｍ２能量密度条件下，分别在Ｓｉ（１００）和ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上成功地沉积Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）薄膜，并在不同的条件下对ＰＺＴ薄膜进行退火处理。用......
在ＤＫＤＰ顺电体中观察到光学存储在铁电体中导致光极化常数可逆变化的光生伙打效应，特别是在铌酸锂中观察到的该效应是众所周知的。作者早......
斜方晶体Ｇｄ＿２（ＭｏＯ＿４）＿３──用于二次谐波振荡的新型高效非线性激光材料斜方铜酸钆是早就有名的铁电体和铁弹性体材料，广泛用于技术和物理实验中。......
采用PLD（PulsedLaserDeposition）工艺制备Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构．这种结构的铁电场效应晶体管（FFET）的电性能由I－V和C－V特性表征．Au／Pb（Zr......
采用脉冲准分子激光工艺,在p型Si(100)单晶基片上,成功地淀积了BIT、PZT/BIT和BIT/PZT/BIT等多层结构的铁电薄膜;采用低频阻抗分析......
采用化学共沉淀法制备（Ｓｒ１－ｘＰｂｘ）ＴｉＯ３粉末，在６０～２２０°Ｃ间获得了五种居里温度的ＰＴＣＲ型（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷。实验结果表明，材料室温电阻率低于２０Ωｃｍ，升阻比高于１０５．５。文中还给出了（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３铁电体......
重点讨论了影响ＰＴＣ元件性能的ＡＳＴ相和烧结工艺等因素。
The factors that affect the performance of the PTC element, such as the AS......
基于经典的压电学第一、第二类方程，引入铁电体中普遍存在的电致伸缩效应，本文导出了电可控机电耦合特性的关系式，该式表明电可控机电......
本文运用半导体能带理论探讨了硅衬底上铁电薄膜的异质结效应的物理模型．对用sol－gel工艺制备的PZT／Si结构的极化特性、开关特性和I－V......
