双栅相关论文
恶性肿瘤严重影响着人类的健康,肿瘤的发病率也呈现逐年上升的趋势,肿瘤的早期诊断和治疗在很大程度上决定了肿瘤的预后。现有的肿......
通过求解泊松方程得到了双栅肖特基势垒MOSFET的解析模型.这个解析模型包括整个沟道的准二维电势分布和适用于短沟双栅肖特基势垒M......
本文针对现有交错双栅输入输出结构复杂且过长的缺点,提出并设计了一种新型的带有简易隔离器的输入输出结构.将该结构应用于220GHz......
本文采用交错双栅和圆形电子注作为310GHz行波管高频互作用电路,比较了圆形注通道和方形注通道的高频特性,从加工的角度考虑选用方......
Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(DGTFET)较传统硅基DGTFET有更好的电学性能.文章基于Sentaurus TCAD仿真软件,构建了有/无Pocket......
目的:恶性肿瘤是当今威胁人类健康的主要因素之一,早期诊断和及时治疗可以明显提高患者术后的生存质量和五年生存率。因此,肿瘤标......
本文以单栅MOSFET的物理模型为基础,导出了双栅MOSFET的物理模型,该模型中,不仅考虑了漏压对沟道长度的调制效应,而且也考虑了栅压......
本文描述了一个灵敏面积为250mm×200mm,采用双栅结构的两维位置灵敏雪崩室。在流动的360 Pa的异丁烯气体中,使用~(252)Cf裂变源对......
基于非平衡格林函数(NEGF)的量子输运理论框架，对双栅MOSFET进行了二维实空间数值模拟。在对表征载流子电势的泊松方程自洽求解......
实验使用复旦制的双栅柱面型四极式弗兰克-赫兹管，管中充满气体分子。本研究利用弗兰克—赫兹实验仪,测量电子气体的速度分布函数。......
本文提出一种完全不同的基于载流子方法的双栅MOSFET解析模型。针对无掺杂对称双栅MOSFET结构，该模型由求解泊松方程的载流子分布和......
采用双栅表面电流测试结构、浮栅结构、肖特基接触边缘泄漏电流三种结构分析钝化增大AlGaN/GaNHEMTs栅电流的机理.测试结果表明,钝......
基于双栅MOSFET的阈值电压模型,从理论上推导出沟道区杂质数统计涨薄引起阈值电压变化的标准偏差.利用二维数值模拟研究了杂质涨薄......
本文以场致发射原理为基础,对场致发射三极管电子注的聚焦问题进行了计算机的模拟.分别讨论了双栅聚焦、三栅聚焦情况.结合等位线......
采用 Silvaco软件的 Atlas对耗尽型单栅、双栅非晶铟锌氧化物薄膜晶体管 SG a-IZO TFT 、DG a-IZO TFT进行二维器件模拟.讨论了 a-......
对两种工艺结构的ＧａＡｓ双栅微波低噪声管ＣＳ０５６３和ＷＣ５４进行了抗静电放电（ＥＳＤ）摸底对比试验和失效分析，发现采用了“Ｔ”型栅结构（栅柄在栅条中间引出）的ＣＳ０５６３的抗ＥＳＤ能......
利用GaAs FET双栅芯片,在30×40mm的复合介质基片上,根据计算机优化结果,制作了三级双棚GaAs FET可变增益放大器。在2.2～3.7GHz频......
会议
基于电荷分享原理，推导了双栅和环栅MOSFET短沟效应造成的阈值电压下降，分析了栅氧经层厚度、衬底掺杂浓度及硅膜厚度等因素对短沟效......
功率自适应是抗干扰通信中的一项技术，而以栅ＦＥＴ在这一技术中的应用有其独特的优点。该文介绍了双栅ＦＥＴ的特性、双栅衰减特性与ＰＩＮ管衰减特性......
该文用改进的微扰法分析了双介质栅漏波天线的辐射特性，并将它与单介质栅漏波天线的辐射特性作了比较。结果表明，在辐射强度相同的情......
该文介绍了国产WC54型双栅GaAsMESFET制作的集总L波段放大器，单级增益12db、带宽大于15℅，增益制范围大于20db，两级增益28db、增益控......
该文采用有限差分方法对高压功率双栅ＭＯＳＦＥＴ（ＤＧＭＯＳＦＥＴ）的直流特性进行二维数值分析。验证了ＤＧＭＯＳＦＥＴ的低压ＭＯＳＦＥＴ和ＶＤＭＯＳＦＥＴ的公共Ｎ＋浮空区可以近似看成恒定电阻；发现ＤＧＭＯＳＦＥＴ中ＶＤＭＯＳＦＥＴ的沟道......
该文给出了三种GaAS MESFET单片混频器结构与芯片测试结果比较。实验表明，在相同本振功率激励下GeAs MMIC双栅混频器具有良好变频特......
随着MOSFET的不断缩小特征尺寸逐渐逼进其物理极限,器件尺寸的进一步缩小面临一系列的困难.为了解决这些面临的问题,一个重要的手......
本论文比较了三种不同的氧化条件下获得的Al2O3层的绝缘特性；利用电子束光刻技术、真空镀膜技术和电泳技术成功构建了基于双壁碳纳......
对全耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :氮化 H2 - O2 合成薄栅......
提出了一种带氧化槽的双栅体硅LDMOS结构(DGT LDMOS)。在漂移区中引入一个氧化槽,在该槽上形成埋栅,同时形成一个槽栅。首先,双栅......
采用阳投氧化法对Ta、Ae两种栅电投进行了氧化物获得及性能研究。低阻Ta膜的获得是至关重要的，我们采用直流磁控溅射法详细研究了降......
首先描述先进的0.18μm SiGe-biCMOS生产流程(SiGe 120)并讨论在设计SiGe 90时如何对性能、成本和特性进行平衡以应对通信市场的需......
有机薄膜晶体管以其成本低、柔性好、易加工等优点越来越受到人们的青睐,目前已广泛应用于低端器件.为了获得更实际的应用,OTFTs的......
3SK74是日本NEC公司专门为VHF调谐器高放混频使用而开发的N型沟道双栅场效应晶体管。此产品已经实用于国内引进的NEC A型电子调谐......
气体丛离子束（GCIB）开发商Epion宣布对其nFusion^TM掺杂系统产生的离子束电流实现了重大性能提高。增强的离子束质量传递不仅使晶圆......
对全耗尽CMOS/SOI工艺进行了研究，成功地开发出成套全耗尽CMOS/SOI抗辐照工艺，其关键工艺技术包括：氮化H2-O2合成薄栅氧、双栅和注Ge......
在提出双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFET新结构的基础上,模拟了沟道长度为25nm时基于新结构的CMOS瞬态特性.结果表明,单栅工作模式......
提出了一种全新的器件结构——双栅双应变沟道全耗尽SOIMOSFETs,模拟了沟道长度为25nm时器件的电学特性.工作在单栅模式下,应变沟......
通过求解泊松方程得到了双栅肖特基势垒MOSFET的解析模型. 这个解析模型包括整个沟道的准二维电势分布和适用于短沟双栅肖特基势垒......
叙述了外内向功率波复数比的测量方法，给出了散射参数测量的效互换位双信号测量线方法。用此方法测量了双栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ适用散射参数，并用它设计......
按照一种新的双栅器件设计理论,采用阶梯栅和两栅间嵌入虚接地点的结构,使GaAs双栅FET获得了优良的噪声和增益性能。二栅在管壳内......
提出场引晶体管双极理论.替代已55年久，1952 Shockley发明单极理论.解释近来双栅纳米硅MOS晶体管实验特性——两条电子和两条空穴表......
