直流模型相关论文
石墨烯因其独特的电子和结构特性,近年来引起了国际上相关领域学者广泛的关注和研究。这种单原子层厚的二维平面晶体材料表现出一......
近年来,在无线通信产业的带动下,半导体相关产业开始了飞速发展,随着晶体管特征尺寸的减小,平面型器件的短沟道效应愈发严重,其性......
由于直流电机其良好的调速性能,直流供电方式在地铁系统中广泛应用。地铁的运营造成周围交流电网中接地变压器的直流偏磁故障,从而......
本文通过建立直流模型来分析可控硅电解整流设备主要运行参数的相互关系;并在此基础上进一步分析系统输出电压、输出电流、控制角......
近些年智能家居的兴起和手机、电脑等通信设备的快速更新迭代离不开物联网和无线通信技术的快速发展。在这些市场需求背后起到重要......
金属氧化物场效应晶体管作为航天设备的组成元件,在航空航天领域有着十分重要的研究意义,其在太空环境中会受到多种辐照效应如总剂......
针对交直流电力系统的稳定性研究中缺乏一种标准的直流模型以及存在不同详细程度的直流模型的问题,基于文献中常见的EPRI直流模型......
基于直流模型的电力系统故障模拟的OPA模型,本文研究电力系统不同元件可靠性、线路改造更新能力以及负荷波动对于复杂电力系统停电......
应用PSpice通用电路模拟软件进行太阳电池直流模型的计算机模拟仿真.用于太阳电池组件设计和可靠性设计分析.......
STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提......
本文叙述了采用蒙特卡罗方法进行整体双极晶体管GP模型直流参数的优化提取方案.通过拟台实验测得的晶体管参数.一次性提取出全体直流......
Shunt resistance of solar cell must be monitored for large area solar cell manufactured with conventional process .A mea......
【正】 一、含另子与任意子的电网络 关于另子与任意子的作用,可从图1(a)所示的放大能力为无限大的理想放大器的等动电路[见图1(b)......
对于用常规工艺制作的大面积太阳能电池,需要经常对电池的并联电阻进行监测。文章描述的从电流的直流模型导出的并联电阻测量方法,只......
简要介绍了电力系统仿真软件(PSS/E)动态仿真的基本原理.PSS/E中的直流模型可以分为两类:一类考虑直流线路电感暂态过程和高频控制......
针对交直流电力系统的稳定性研究中缺乏一种标准的直流模型以及存在不同详细程度的直流模型的问题,基于文献中常见的EPRI直流模型......
讨论了目前研究交、直流混合电网交直流系统相互作用时在直流建模上存在的模型过度简化及模型选用不恰当的问题;分析了稳定性研究......
MOS3模型对于沟道长度在1微米的器件的数字分析有良好的适用性,但随着集成电路工艺的不断发展,MOSFET沟道长度进一步减小,生产工艺......
常用的MOSFET模型模型参数多且复杂,在保证精确度的基础上应尽量简化模型。尝试采用目前比较成熟通用的MESFET非线性等效电路经验......
本文描述了一个提取MOS场效应晶体管和双极型晶体管直流模型参数的程序。所采用的算法是Meger和Roth方法,它具有较好的收敛性。在......
SOI MOSFET中存在着严重的自加热效应,对其直流特性有较大的影响,给出准确的自加热效应模型是精确模拟SOI MOSFET直流特性的基础。文中通过对自加热效......
基于新型带功率校正(PFC)的三相AC/DC整流器的工作原理,得出了其稳态运行时的直流简化模型.实验表明,这种模型能正确地反映原电路......
对于同步整流BUCK型开关电源的转换效率,传统的分析方法得出的结果比较精确,然而过程相当繁琐,无法快捷预知其结果和预先对设计电......
提出了一种GaAs双栅MESFET的PSPICE直流模型,分析了GaAs双栅MESFET漏极电流与两个控制栅偏置电压之间的关系,给出了漏极电流表达式。通过提取适当的模型参数,其直......
提出一种新型的多晶硅薄膜晶体管电流-电压物理模型,考虑了陷阱态密度的V形指数分布,运用Lambert W函数推出了表面势的显式求解方法......
该文介绍器件物理法造型的基本步骤和方法,指出在建立NPN晶体三极管造型的过程中,如何选取物理变量,建立和简化模型方程,最终得出NPN晶......
本文介绍一种基于全数字电力系统仿真器的直流控保封装建模方法,利用软件提供的用户自定义模块功能,创建出一定数量的自定义模块来......
确定合理的换流站无功平衡和投切策略是直流输电系统安全稳定运行的基础。阐述了交直流系统的无功功率需求和无功补偿设备容量的确......
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太阳电池特性由材料,设计和工艺决定,太阳电池直流模型则可描述其电特性。现有的测试方法不能直接测出模型参数,但容易获得太阳电池片......
本文介绍了500kV自耦型变压器一、二次电流的关系和电流互感器(current transformer,CT)极性测试的基本原理,分析了两种CT极性测试......
BJT三极管可以构成共射、共基和共集三种接法的基本放大电路,其中共射放大电路的功率放大作用最强,是多级放大电路的中间级。放大......
讨论了目前研究交、直流混合电网时在直流建模方面存在的模型过度简化及模型选用不恰当问题;分析了稳定性研究中直流建模的一般方......
相比于非晶硅(amorphous silicon,a-Si)和多晶硅(polysilicon,poly-Si)薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFTs),以非晶InGaZnO(a-......
由于晶体管的特征尺寸随着集成电路技术的迅速发展而逐步缩小到纳米技术节点,其小尺寸效应影响愈加明显,器件尺寸的进一步缩放受到......
以非晶铟镓氧化锌(a-IGZO)为代表的非晶金属氧化物半导体被视为下一代薄膜晶体管(TFTs)技术的有力候选者。在多个产业领域,特别是......
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