栅氧相关论文
碳化硅（SiC）具有优良的电学和热学特性，是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET非常适合应用于大功率领域，而高温......
期刊
针对反应离子刻蚀氮化硅过程中无图形60nm栅氧的等离子体损伤问题进行了研究。采用接触电势差技术研究了反应刻蚀中电荷在硅片表面......
本文提出了一种SOI基于槽栅LIGBT结构，它的栅电极没有位于阳极与阴极之间。基于此创新，发现新结构器件比旧结构器件展现出了巨大的优......
基于电荷分享原理，推导了双栅和环栅MOSFET短沟效应造成的阈值电压下降，分析了栅氧经层厚度、衬底掺杂浓度及硅膜厚度等因素对短沟效......
圆片级可靠性（WLR）评估技术由于其所花时间短，成本低，对工艺改进指导及时，已成为器件可靠性研究的热点。本文将针对VLSI中栅氧的圆片级......
1、产品及其简介rn本工艺技术平台以国际主流0.18微米CMOS工艺为目标,与世界先进的FOUNDRY工艺相匹配,并有很强的兼容性,可兼容RF ......
本文探讨了CMOS晶体管在静态偏压-温度老化下产生的突然失效。在试验时出现的失效模式是栅和衬底之间发生的短路,以及栅开路。随后......
本文主要分析了超深亚微米集成电路设计中天线效应产生机理及其消除方法,同时还给出了天线比率的具体计算方法.将这些方法应用于雷......
对抗辐射SOI器件栅氧可靠性进行研究,比较了体硅器件、SOI器件、抗总剂量加固SOI器件的栅氧可靠性,发现SOI材料片的制备与抗总剂量......
在半导体芯片制造过程中,需要对栅氧化过程中的引入N2O气体进行掺氮处理,本文发现N2O气体的引入是一个放热反应,并且导致氧化炉内......
栅氧击穿不仅和栅氧质量相关,而且受前工序的影响很大.本文介绍了影响栅氧击穿的因素,如PBL隔离和腐蚀、电容结构.......
介绍功率器件中TrenchMOS栅氧的物理性质、击穿电压指标和常规在线检测分析方法。从实验出发，详细分析影响TrenchMOS栅氧击穿电压的......
期刊
本文主要分析了超深亚微米集成电路设计中天线效应产生机理及其消除方法，同时还给出了天线比率的具体计算方法。将这些方法应用于雷......
碳化硅SiC(silicon carbide)功率器件因其卓越的材料性能,表现出巨大的应用前景,其中金属-氧化物-场效应晶体管MOSFET(metal oxide......
随着MOSFET栅氧厚度的逐渐减薄,栅致漏极泄漏(GIDL)电流呈指数级增加,当工艺进入超深亚微米节点,器件的栅氧厚度不足2 nm,短沟器件......
从结构上对一种N沟道VDMOS器件的寄生电容进行研究,确定了栅氧化层厚度和多晶线宽是影响VDMOS器件寄生电容的主要因素;使用TCAD工......
TDDB（Time dependent Dielectric Breakdown）时间相关介质击穿，表征与时间相关的介质电击穿。在金属场效应管器件里是用来测试栅氧层......
