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介绍功率器件中TrenchMOS栅氧的物理性质、击穿电压指标和常规在线检测分析方法。从实验出发，详细分析影响TrenchMOS栅氧击穿电压的工艺生长的因素，进一步提出不同栅氧工艺的选用对栅氧G—S击穿电压的影响。
功率器件中影响Trench MOS栅氧生长的因素以及工艺选用对栅氧击穿电压的影响
【摘 要】
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介绍功率器件中TrenchMOS栅氧的物理性质、击穿电压指标和常规在线检测分析方法。从实验出发，详细分析影响TrenchMOS栅氧击穿电压的工艺生长的因素，进一步提出不同栅氧工艺的选
【机 构】
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华虹宏力半导体制造有限公司
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2016年9期
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