提出一种改善n型横向双扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)器件性能的工艺方法。该方法基于某公司0.18μm标准工艺流程, 通过在NLDMOS的......

基于SMIC 0.18 μm HVBCD工艺,移除了3层掩模板.调整器件的结构参数,对横向双扩散MOS管(NLDMOS)进行了分批流片.该NLDMOS通过了电......

提出了一种具有多阶场板的300 V薄层SOI RESURF nLDMOS器件.借助RESURF和MFP技术,优化了器件表面电场分布,避免了器件在表面提前击......

为了不增加器件成本，方便和低压器件集成到一起时实现自主隔离，因而迫切需要解决既能兼容普通半导体材料工艺又能达到相应技术性能要......

PDP(Plasma Display Panel:等离子体显示平板)作为新一代显示技术,以其响应速度快,宽屏显示及图像分辨率高等优点,成为显示技术领......