MOS工艺相关论文
和一般互补MOS 工艺的六管存储单元相比较,五管存储单元所需要的面积大约只占百分之七十。目前已经研制出在绝缘体上外延硅薄膜(简......
叙述了一个采用单沟道 MOS 工艺的压控振荡器电路,提出了该 VCO 的工作原理和设计准则。以单沟道横向 V-MOS 工艺制成的集成电路其......
就直流性能而言,今天的单片线性器件很容易比得上最好的分立线性电路的精确度与灵敏度。这个成就大部份依据这类双极工艺的革新,......
在 P 沟与互补 MOS 工艺的基础上,美国因特尔公司与标准微系统公司等厂家开始制造 n 沟硅栅 MOS 器件。硅栅 n 沟 MOS 的优点有:1......
本文的第Ⅰ部分发表在《Solid State Technology》杂志 1984, No.6上。在这第Ⅱ部分中,作者着重于电路设计考虑。单晶硅或绝缘衬底......
本文首先在总体上概述了集成电路工艺技术的发展。从双极工艺和MOS工艺两大分支说明了其发展过程、特点及现状水平,阐述了器件发展......
本文着重研究了０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＮＭＯＳ器件工艺技术．用ＲＩＥ刻蚀获得了０．６μｍ严格各向异性的精细结构２分析研究表明ＴＥＯＳＳｉＯ２膜厚ｔｆ、多晶硅栅的剖面倾角θ是影响侧壁宽度Ｗ的重......
目前,CMOS制程工艺已经迈入纳米节点以下,但在进一步提高芯片的集成度、运行速度以及减小集成电路的特征尺寸方面遇到了严峻的挑战......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
东芝电子元件及存储装置株式会社("东芝")近日宣布,推出新款光继电器--"TLP241B",该款大电流光继电器采用DIP4封装,适用于可编程逻......
LDMOS是横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET（lateral double—dif fused MOSFET）的简称。LDMOS制造工艺结合了硅双极晶体管......
本文介绍了IC中电阻的分类、MOS工艺中电阻的特性及工艺实现、电阻的设计和电阻版图设计需要注意的几个问题，其中对电阻宽度和形状......
为了保证高可靠亚微米ＶＬＳＩ的实现，必须有效地抑制ＰＭＯＳ严重的热载流子效应。本文对０．５０μｍ ＬＤＤ ＰＭＯＳ工艺进行了研究，表明，ＬＤＤ可有效地克服ＰＭＯＳ的热载流子效应和短......
随着高校的扩招,中国高等教育逐步走向大众化教育。如何发挥高校服务社会经济发展的功能,服务地方社会经济发展,已成为普通高等院......
针对较大电容难以集成的实际，提出叉指夹心集成电容结构，采用横向电通量增加电容策略，在顶层上布铝导线呈平铺叉指夹心结构，涂盖Si3N4......
针对传统半波整波电路的不足提出了基于MOS工艺的改进方法及电路，该电路利用MOS工艺的寄生电容特性形成电荷转运，有效地提高了半波整......
Toshiba America Electronic Components推出新系列高电压π-MOSVII MOSFET。π—MOS VII MOSFET结合了先进的工艺技术与平面处理......
简要介绍了集成电路虚拟工厂系统Taurus Workbench.对亚微米n沟MOS工艺的特点进行了分析.在Taurus Workbench环境下进行亚微米n沟M......
ADI公司的ADXRS624是完整的角速度传感器（陀螺仪），采用ADI公司的表面微机械加工工艺。ADXRS624在一块芯片上集成了所有所需的电子组件......
以采用磁耦合和CMOS工艺的RFID产品为例,简要介绍了此类芯片的构成,在列举各种破坏性/非破坏性攻击手段的基础上,从软/硬件角度分......
按与双极型晶体管类比的方法给出ＭＯＳ场效应管特征频率ｆＴ的定义、用ＰＳｐｉｃｅ对其进行测试的方法，并对ｆＴ进行一些浅显分析。......
