隔离岛相关论文
提出一种实现精密全波整流的新方法。该电路的最大特点是用一对NPN和PNP晶体管代替二极管整流,从而实现用一个运算放大器、一对NPN......
本文基于淀东水利枢纽泵闸改扩建工程排涝泵闸工程,介绍了“先浅后深”法在本工程深基坑支护的设计与施工过程中的应用,详细叙述了......
本文叙述了多晶硅薄膜的制备以及作为集成电路中的负载电阻的基本原理。重点阐述在高频、低功耗、高速双极模拟超大规模集成电路制......
以皖江示范区承接长三角产业转移为背景,立足于示范区的物流和客流两个层面,运用GIS栅格分析和网络分析以及ESDA分析技术从时间指......
《奥特曼》、《假面骑士》、《超级战队》是日本三大国民级的特摄片（特技摄影，属于动漫范畴），在向日本的青少年灌输“英雄”、“正义”......
分析了半导体器件静态漏电对高可靠设备造成的危害。对比了失效器件在不同偏压条件下的测试结果,结合器件芯片版图的设计特点以及......
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在单晶硅衬底上,通过三次外延和两次选择性掺杂,实现了一种新型的半绝缘结构。其中有一个隔离岛和衬底之间是非绝缘的,将纵向器件......
本文旨在介绍国外高速计算机逻辑元件(ECL—LSI电路)的研制、发展以及应用的概况.通过从锗到硅乃至镓砷器件的电流开关电路的蓬勃......
本文在多β晶体管容易实现多值与、或运算的事实的基础上,进一步分析了多值阈值门中的开关要求,并具体设计了基于多β晶体管的高速......
荷兰 Philips于 1978年在 C~3L的基础上提出了集成肖特基逻辑.我们于 1979年7月研制的ISL器件结构如图1,其等效线路如图2.
Phili......
射极功能逻辑(EFL)是一类新的逻辑电路。为了便于大规模集成(LSI),在设计上它采用了非反相门结构,在相同的功耗水平,EFL的传递时......
本文对一种新的隔离方法进行了理论分析与计算.通过分析和计算的结果,我们给这种隔离方法定名为内偏压隔离,从而反映了这种隔离方......
D64—双D触发器元件较多,合格率很低,什么原因呢? 我们在清华大学绵阳分校实习队的协助下,对D64触发器的工艺流水线作了普遍的了......
对于我国急待开发的LSTTL电路!本文分析了SBD使其获取高速低功耗优良性能的基本原理,着重讨论了SBD的正向压降和反向击穿及其与电......
我厂试制的宽频带放大器SG012(相当于国外的UA733),由于采用了P-n结隔离工艺,同时在版图设计时采取了必要的措施,因此,收到了良好......
本文提出一种改进型萧脱基晶体管逻辑电路的结构,称为MSTL。它具有标准STL高速度的优点,又具有ISL只需要一种萧脱基二极管的简化工......
1.DQ401主要参数指标I_(CEO)≤0.1μA(V_(CE)=10V);BV_(CEO)≥20V(I_(CE)=1mA);BV_(CBO)≥25V(I_(CB)=10μA);BV_(EBO)≥5V(I_(EB)......
使用介质隔离工艺研究出了模拟—数字兼容的350伏功率集成电路。使用纵向npn晶体管和新型的横向pnp晶体管获得了很好的互补电特性......
前言 特征尺寸不断缩小,每块芯片上的元件数目不断增加,这是硅集成电路(IC)发展的基本趋势。目前商品化VLSI芯片的最小特征尺寸大......
本文介绍双极模拟集成电路计算机辅助剖析和验证系统的功能、特点及主要编制原理。
This article describes the bipolar analog ......
在双极集成电路工艺中,做完隔离扩散后要检查扩散情况,通常是测两个隔离岛之间的伏安特性。如果外延层扩穿,有几十伏以上硬击穿;......
基于氧化多孔硅的ＳＯＩ结构＝［刊，俄］１９９４，２３（６）－６１～６８本文研究了在１００ｍｍ硅片上基于氧化多孔硅的ＳＯＩ结构的主要制作工艺过程。所开发的工艺具有操作简单、成本低和生产......
实验得到Hall元件的不等位电势Vo与元件的不对称因子和薄层电阻两者乘积成正比。实验表明,对离子注入Hall元件,Vo主要由载流子浓度......
Study on the movement and fracture of ＂isolated island＂ working face overburden by numerical simulat
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枪声、惨叫、鲜血、暴力……这些充斥着恐怖色彩的词汇正在亚平宁半岛大行其道，原本深沉宁静的蓝军一时之间被黑色的阴霾笼罩。是什......
本文对 WA6型集成稳压器的线路形式及特点,光刻版图的设计作了介绍,重点论述了采用 PN 结隔离工艺制作集成稳压器中遇到的几个问题......
