锑化物相关论文
热电材料是一种可以实现热、电能相互转化的功能材料,而且直接转化不需要复杂的工程系统,其中的热能可以来自太阳光、地热、核能等......
中红外激光器在气体传感、环境监测、医疗诊断和工业过程控制等应用中有独特的优势,由于气体的吸收峰非常窄,因此激光器的单模特性......
采用有效质量模型下的4×4 Luttinger-Kohn哈密顿量矩阵对In0.53Ga0.39Al0.08As/InxGa1-xAs0.9Sb0.1量子阱结构的能带进行了计算。......
设计制备了GaSb基I型InGaAsSb量子阱激光器,其激射波长为2。75 μm。五元势垒材料AlGaInAsSb有效降低了势垒的价带能级并提高了价......
英国的研究人员研制出了目前波长最短的室温量子级联激光器(QCL)。该仪器基于应力补偿InGaAs/AlAsSb系统,波长仅为3.1μm,输出功率......
随着半导体产业的发展,依照摩尔定律,集成电路的器件尺寸越来越小,密度也越来越高。由于电源电压并没有随着器件的尺寸降低,造成严......
Ⅲ-Ⅴ族锑化物是半导体材料体系的重要组成部分,由于其独特的能带结构、有效质量小、电子迁移率高等优良特性,在超高速低功耗器件......
近年来,锑化物Ⅱ类超晶格材料在外延生长和发光性质等方面的研究取得了巨大的进步,为获得高性能中红外波段光电子器件奠定了重要的......
锑(Sb)化物基光电子材料主要是指包含(InGaAlN)(AsSb)等元素的典型Ⅲ-Ⅴ 族化合物半导体,其光电物理性质独特?内涵丰富. 锑化物材......
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[本刊讯]中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室杨涛课题组，在三元合金铟砷锑（InAsSb）纳米线制备及机理研究方而取得了系列......
用固态源分子束外延方法,在GaSb衬底上成功地生长出四元系III-V族锑化物单层、多量子阱和激光器、探测器结构材料,并用这些材料制......
研究了InP基InGaAsSb外延材料受生长温度和Ⅴ/Ⅲ比的影响。实验中利用高能电子衍射（RH-HEED）监测获得了合适的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,采......
锑化物激光器在2～5μm波段具有广阔的应用前景。综述了锑化物激光器的研究进展，重点论述了材料生长、结构设计、器件工艺、封装技术......
热电器件由于结构简单、可靠性好、无污染等优点,在微电子、能源等领域具有广泛的应用。探索具有高热电优值（ZT）的新材料是近些年来......
针对常见的GaSb衬底的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构进行了设计和外延生长。样品通过X-射线测试,有多级衍射卫星峰出现,表明量子......
通过研究在不同酸度下Sb5+对 Se,Bi的干扰情况,发现在高酸度下,Sb对Se,Bi的干扰明显减弱,并结合锑在不同价态发生氢化反应的差异性......
采用有效质量框架下一维有限单势阱的Kronig-Pency模型对InxGa1-xAsySb1-y/Al0.25Ga0.75As0.02Sb0.98量子阱激光器结构的子带跃迁......
对nBn势垒型InAsSb/AlAsSb中波红外探测器材料进行了系统深入的理论研究。通过理论计算势垒层的厚度、组分和掺杂等结构参数对器件......
在能源危机和生态环境恶化的全球大环境下,如何提高现有的能源使用效率和开发新能源己成为国际研究热点。热电材料可以直接实现热......
2-10μm波段红外激光源表现出了日益巨大的应用潜力：大气光学检测和环境监测,自由空间光通讯,红外对抗,清洁能源,煤矿安全,分子光谱......
本论文针对中红外2μm波段AIGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器和InGaAsSb PIN探测器的特点和存在的问题，对激光器和探测器的结构进行......
锑化物是一类窄带直接带隙III V族化合物半导体，其独特的光电性质引起人们极大的研究兴趣。在红外探测、热光伏、超高频率和超低功......
学位
本学位论文针对中红外波段AlGaAsSb／InGaAsSb多量子阱激光器和InGaAsSb PIN探测器的特点和存在的问题，对激光器和探测器的器件物理、......
1.5-2.0μm近、中红外波段半导体激光器在通讯、测高、测距、遥感等方面有着广泛的应用。研究位于该波段的低维半导体量子激光光源......
GaxIn1-xAs1-ySby和InAs1-xSbx量子点的响应波长覆盖低温辐射体热光伏(TPV)电池的最佳波段。目前已报道的高性能的低温辐射体锑化......
基于锑化物Ⅱ类超晶格结构的中远红外探测器,由于其优异的性能而受到广泛的关注和研究。综述了锑化物Ⅱ类超晶格中远红外探测器的......
锑化物探测器是当前主要的红外探测器类型之一,主要包括InSb、InAsSb、InAlSb以及II类超晶格(T2SL)等红外探测器,覆盖红外短、中、......
目前,在红外通讯、气体监测、遥感技术等领域,对3-5μm波段的半导体红外探测器均有着迫切的需求。而非制冷红外探测器因无须制冷设......
<正>钴是具有钢灰色和金属光泽的硬质金属,钴(Co)原子序数为27,位于元素周期表第八族,原子量为58.93,它的主要物理、化学参数与铁......
本文对R.Holtom等人所写文献作了译编,重点论述了关于S—20和S—25光电阴极的表面研究,以加深对这类阴极材料的认识.同时还阐述了C......
锑化物材料作为窄禁带直接带隙半导体,具有较小的禁带宽度和载流子有效质量,较大的电子饱和漂移速度及电子迁移率等优良的光电性能......
学位
2～5微米中红外波段是极其重要的大气窗口,工作在该波段的半导体激光器的应用领域非常广泛。锑化物具有独特的能带结构,其禁带宽度可......
９４－０１１含曼尼奇碱和锑的盐酸酸化缓蚀剂缓蚀剂配制：４ｍｌ曼尼奇碱，４ｍｌ甲基萘喹啉氯化物溶液，１．５ｍｌ乙氧基化壬基酚，充分混合。加入到１００ｍｌ１５％盐酸中酸液中含０．０１８Ｍ的锑化物......
2--μm中红外谱线波段是非常重要的大气窗口。它可以应用在气体检测、环境监测、化学和生物探测、医学分析等方面。在军事领域,该......
本文主要研究内容是GaSb的同质/异质外延生长和材料的表征和物性分析,利用同质外延指导异质外延的生长。具体如下：采用分子束外延在......
InAs/GaAs量子点由于发光波长位于光纤无损窗口中而得到广泛深入的研究。若将成熟的InAs/GaAs量子点生长工艺和GaAsSb合金结合起来......
本文从理论上分析了GaSb基锑化物半导体材料的基本性质,主要包括通过二元系和三元系材料参数的线性插值计算InGaAsSb,AlGaAsSb四元......
由于GaAs衬底与InGaAsSb的平均晶格参数存在7%的晶格失配,论文通过系列实验研究了GaSb、AlSb缓冲层技术:通过优化GaSb、AlSb缓冲层......
本论文从理论上分析了InP基砷化物和锑化物半导体材料的基本性质,主要包括通过二元系和三元系材料参数线性插值计算InGaAlAs,InGaA......
InAs1-xSbx和GaxIn1-xAs1-ySby是两种典型的中红外锑化物半导体材料,前者能够通过调节组分使其禁带宽度值覆盖3～5μm和8～14μm两个大......
本论文针对高质量的InGaAsSb／AlGaAsSb量子阱激光器的特点和存在的问题，对激光器的结构进行了优化设计，并进行了锑化物的分子束外延（MB......
本论文工作围绕2μm中红外波段AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器和InGaAsSb PIN探测器的特点和器件工艺中存在的问题,对其相关材料......
