自对准工艺相关论文
集成电路飞速发展,硅基CMOS技术关键尺寸已经越来越小,被行业奉为金科玉律的“摩尔定律”面临失效的境况。身处“后摩尔时代”,芯......
本文对自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器进行了研究,采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用GaAs腐蚀各向异性的特点来完成BE金属......
在原有的异质结双极晶体管(HBT)器件结构及工艺基础上进行改进,利用湿法刻蚀自对准工艺设计制作了AlGaAs/GaAs HBT.经过实验对比;......
本文对自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器进行了研究,采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用GaAs腐蚀各向异性的特点来形成BE金属......
介绍了一种采用梳状发射极自对准工艺、发射极扩散镇流电阻、输入、输出内匹配等技术研制出的硅脉冲大功率晶体管实验结果.在3.1GH......
在硅集成电路发展中,离子注入技术起着重要作用.最早它被用来进行MOSFET的沟道注入以调节其阈值电压,接着它替代热扩散用作MOS器件......
为了实现ＣｏＳｉ〈，２〉在深亚微米ＣＭＯＳ器件中的应用，作者对钴硅化物自对准工艺作了深入的研究。该文首先详细阐述了采用Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ复合膜结构的两步快速热处......
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是平板显示(Flat PanelDisplay，FPD)技术的重要部分。随着大尺寸、高分辨率、3D显示技术的发......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
形成硅化物的技术有多种:蒸发、溅射和化学气相淀积。文中对单靶溅射钛膜进行了研究。采用两步快速热退火工艺形成TiSi2,通过实验,......
对自对准 In Ga P/ Ga As HBT单片集成跨阻放大器进行了研究 .采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用 Ga As腐蚀各向异性的特点来完成 BE......
形成硅化物的技术有多种：蒸发，溅射和化学气相沉积。文中对单靶溅射钛膜进行了研究。采用两步快速热退火工艺形成ＴｉＳｉ２，通过实验，得出了ＣＭＯＳ自对......
介绍了一种快速电压变换器的电路、版图及工艺设计.该电路采用多晶硅发射极自对准工艺制作,获得了小于50 ns的输入输出延迟时间.该......
针对谐振隧穿二极管（RTD）在通用电路应用中的局限性,提出并设计了自对准栅型谐振隧穿晶体管结构,进行了材料的分子束外延,采用传统湿......
从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,实验了传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,......
在发射极宽度为3μm和4μm InGaP／GaAs HBT工艺的基础上，研究了发射极宽度为2μm时发射极与基极之间的自对准工艺，用简单方法制备出了......
采用低压金属有机化合物气相外延(LP-MOCVD)，制备了顶端发射氧化物限制、内腔接触结构980nm的垂直腔面发射激光器．应用了选择氧化和......
对自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器进行了研究，采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用GaAs腐蚀各向异性的特点来完成BE金属自对准......
本文较为详细地讨论了GaAs异质结材料BOA型光开关的特性；并应用转移矩阵理论和有效折射率法计算和分析了电极结构与器件半波电压和......
Vishay推出一款低导通电阻的新型20VP沟道功率MOSFETSiB457EDK。新型SiB457EDK采用了TrenchFETGenⅢP沟道技术，该技术利用自对准工......
中科院宁波材料技术与工程研究所万青研究组提出了一种交叉自对准工艺，采用普通丝网印刷设备研制了高效率的晶体硅太阳能电池。常规......
采用离子束溅射技术在Si片上先后连续淀积Ti膜和Co膜,对Co/Ti/Si三元体系固相反应特性进行了研究。在氮气氛下对Co/Ti/Si样品进行......
铝栅自对准电路具有集成度高和性能价格比高等优点。本文从离子注入与合金(退火)两方面着手,研究铝栅自对准工艺。成功地研制出可......
基于非选择性外延，自对准注入技术，集电区选择性注入和快速热退火工艺，提出了一种适用于1．5μmBiCMOS集成技术的SiGeHBT器件结构。该结......
文中提出了一种应用于ＣＭＯＳ电路的硅化物工艺。该工艺中硅化物的形成运用了离子束混合技术，掺杂硅化物结合ＲＴＡ推结实现硅化物浅结。并且也研......
碳化硅（SiC）优良的材料特性,使其十分适用于制作大功率高速的开关器件,例如金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFETs）。目前国内诸多研......
阐述了SOI硅化钛的相关问题,采用两步快速热退火工艺形成低电阻的TiSi2,通过实验得出2次快速热退火的最佳时间和温度,形成良好的SO......
Traditional orthogonal strapdown inertial navigation system(SINS) cannot achieve satisfactory selfalignment accuracy in ......
作者采用一种新方法设计了可在高压下工作的高频VDMOS器件,该器件具有二级场板终端结构。通过在工艺上利用多晶硅选择氧化形成漏表......
