源漏相关论文
本文提出了一个基于表面势的耗尽层电流计算新方法，由于LDMOS结构的特殊性,其漂移区电流受到源漏栅电势的综合影响,难以确定。在现......
随着半导体器件特征尺寸的不断缩小，器件内部的应变及其对性能的影响已经成为一个重要的研究课题。本文使用有限元法研究了一种采用......
本文在一种有源区处于结构过渡区的微晶硅底栅TFT内,测试其应力衰退特性时,观察到某种"自恢复"的衰退现象.即当栅和源漏同时施加偏......
在硅集成电路发展中,离子注入技术起着重要作用.最早它被用来进行MOSFET的沟道注入以调节其阈值电压,接着它替代热扩散用作MOS器件......
故障现象 开机后 ,按下手闸预备 (STAND -BY)档后 ,旋转阳极不旋转 ,同时控制单元D柜发出“隆隆”的异常响声 ,瞬间旋转阳极控制......
1、产品及其简介rnM5525 100-1/UM型大角度离子注入机可满足100纳米,8英寸集成电路制造工艺的要求,适合源漏区的大角度晕、袋、栅......
引言rn一直以来,电子电路断路器(ECB)都是由一个MOSFET、一个MOSFET控制器和一个电流检测电阻器所组成的.LTC4213是一款新型电子电......
提出并制作了一种仅有漏端轻掺杂区的MOSFET新结构──非对称LDD MOSFET。它与通常LDD MOSFET相比,抑制热载流子效应的能力相同,源......
为避免应变Si沟道(Strained Si channel)CMOS工艺中的高温过程,通过选择合适的离子注入能量和剂量,采用快速热退火(RTP)工艺,制备......
