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本文对全耗尽SOI CMOS技术中的注Ge硅化物工艺进行了研究.Ge的注入,使Si非晶化,减小了硅化物的形成能量.Ti硅化物在非晶层上形成.......
给出了混合电压I/O电路坚固的ESD保护结构,它是由放大器结构的NMOS晶体管组合而成.这个保护电路由硅化物和硅化物隔离两种工艺研制......