沉积薄膜相关论文
采用分子动力学方法(MD)Finnis-Sinclair原子间作用势模拟计算了正二十面体Al团簇沉积Ni(001)表面的动力学过程.其中沉积能量研究......
等离子体化学是等离子体技术与化学相互渗透结合而产生的一门新兴学科.借助等离子体中的能量粒子和活性成份所产生的物理和化学过......
由于采用辅助外加热式离子轰击，减少了放电对放电工件形状、位置的影响，与单纯靠离子轰击放电加热时的放电电流及电压加以比较得出其......
本文用MOCVD技术在小瓷管表面沉积SnO_2薄膜,通过氢气退火处理,制备了可用于鱼品鲜度检测的三甲胺气敏元件。该元件对三甲胺有较高......
射频反应溅射Ｇｅ_ｘＣ_（１－ｘ）薄膜的特性刘正堂，朱景芝，许念坎，郑修麟（西北工业大学材料科学与工程系，西安，７１００７２）［摘要］通过在Ａｒ＋ＣＨ４气体中的射频反应溅射法制备出ＧｅｘＣ（１－ｘ）薄......
研究在Watts镍溶液中电沉积制备黑色Ni-Co合金薄膜以及苯并三唑和咪唑作为添加剂对电沉积薄膜的影响。电解液由NiS O4、Ni Cl2、H3......
在电弧离子镀靶后端加入轴对称线圈磁场,制备了TiN-Cu纳米复合膜。观察线圈磁场强度对靶表面电弧斑点游动速率和弧柱形状的影响,及......
0118519离子束薄膜合成及其应用[刊]/柳襄怀//功能材料与器件学报.—2001,17(2).—113～115(E)报道了中国科学院离子束开放研究实验......
目前激光微型加工主要用于微电子学、微型机械加工、微光学领域，本文对它在这几方面的应用情况及其他方面的前景作一介绍。1 微电......
一般来说,所有伴随有热效应的物理变化和化学变化都可以用差热分析(以下简称DTA)来研究。近年来,DTA 技术有了很大发展。1968年,......
矩形平面磁控溅射装置中存在着诸如磁场、电场、气压、靶材、基片温度及速度、几何结构等参数间的相互影响，并且最终决定了沉积薄膜......
一、引言在冷凝式汽轮机中,处于较低干度下运行的大功率汽轮机末几级叶片,由于湿蒸汽中微小水滴对高速旋转的末叶片发生相对撞击,......
Metallgesellschaft公司在50年代初首先应用了旨在硬化金属材料表面的、在钢表面镀覆TiN的化学气相沉积CVD技术(Chemical Vapor D......
采用直流反应磁控溅射工艺,在不同的沉积时间条件下(5～100min)制备了以单晶硅为衬底的氧化钒薄膜,用扫描电镜分析了薄膜结构的断面......
利用直流磁控溅射法在有ZnO∶Zr缓冲层的水冷玻璃衬底上成功制备出了ZnO∶Zr透明导电薄膜,缓冲层的厚度介于35～208nm。利用XRD、SEM......
为了提高低产碳酸盐岩油层的开发效果 ,俄罗斯阿尔兰石油公司研制成功了一种可用于该类地层强化采油的СПНХ( ДН) -90 1 0酸......
应用电泳沉积法制备钇稳定二氧化锆（8YSZ）薄膜，探索了影响电泳沉积层密度、厚度、粘附性和形貌的诸多因素，确定的最佳工艺操作条件是粉......
回顾了NiTi形状记忆合金薄膜的研究现状。总结了形状记忆合金薄膜的结构及其变化过程、性能特点及其变化规律。
The research sta......
研究了利用电化学原子层外延法(electrochemical atomic layer epitaxy,ECALE)在Pt电极上生长Sb2Te3化合物半导体薄膜热电材料的过......
利用分子动力学方法模拟了Be原子在Be基底上的沉积过程.模拟了沉积粒子不同入射动能条件下,沉积薄膜表面形态的差异.在一定能量范......
在工程应用中增强材料的腐蚀磨损性能是至关重要的。采用电沉积技术,研究从氯化物槽池中得到的Zn-Al-SnO 2-TiO 2(Zn-Al-Sn-Ti)复......
用离子束溅射制备Ａｕ、Ｓｉ、Ａｌ、ＮｉＦｅ、Ｔａ和Ｗ薄膜，并将其物理性质同射频溅射和电子束蒸发沉积的薄膜进行了比较．一般说来，对给定材料的沉积薄膜，就其所......
通过自动极图衍射测量与极图分析研究空心阴极离子镀TiN膜晶粒取向,结果表明,TiN膜存在(111)织构,(111)晶面平行于沉积表面,研究了......
本文介绍了聚焦重离子束溅射装置的结构和运行参数。该装置的最高加速电压为10kV,最大离子束流为2mA,蕞小离子束斑为φ1.5mm。利用......
本文提出了描述在激光沉积高T_c超导薄膜过程中激光剥离靶材形成粒子喷射的新模型,推导了剥离所需的激光能量密度阈值、促成粒子法......
已经采用CO_2和ArF准分子激光来诱导SiH_4∶N_2O∶Ar合气体的化学气相沉积,在不锈钢基体上分别包覆非晶态的二氧化硅及硅。分析了......
本文指出四点弯曲法是定性分析和定量计算气相沉积薄膜与基体结合强度的较理想 的方法。还建立了四点弯曲法定量计算膜基结合强度......
在不同温度衬底上射频磁控溅射沉积ZrO2－12wt％Y2O3薄膜进行了不同方式的退火后处理。其一为1000℃大气气氛下的热退火处理，其二为高真......
薄膜应力可用ｘ射线掠射法测量，２θ－ｓｉｎ￣２φ失去线性时，采用小角掠射，有可能使２θ－ｓｉｎ￣２φ恢复直线，并由斜率计算应力；２θ－ｓｉｎ￣２φ维持线性时，依次改变掠射角，可望......
本文描述了永磁非对称轴向二极场的结构和形态,这种磁场用于替代同轴线圈提供微波ECR等离子体CVD系统所需的磁场;简要分析了磁场对......
本文介绍一种新型的光学薄膜制备用多离子束电子束系统。该系统既可采用聚焦离子束溅射沉积，也可采用传统的电子束蒸发沉积薄膜，并辅......
用分子动力学计算机模拟研究了能量为5—20 eV/atorn，结构为正二十面体的(Cu)_(13)原子簇在Cu（001）表面的沉积过程.采用紧束缚势同Mol......
在等离子体化学气相沉积系统中采用高氢稀释硅烷蚀刻法制备了纳米硅薄膜。系统地研究了衬底温度对ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的结构性能的影响。结果表明......
用真空蒸发方法在玻璃衬底上沉积ＳｎＯ２薄膜．在氮气、氧气气氛下对薄膜进行不同温度条件的热处理．实验表明，热处理后薄膜的结构和光学性能均......
采用多靶轮流溅射技术，用Ｔｉ和六方氮化硼（ｈ－ＢＮ）反应合成了Ｔｉ－Ｂ－Ｎ薄膜，采用ＸＲＤ、ＴＥＭ和显微硬度计研究了薄膜的微结构及其力学性能。结果表明，室温下沉积的Ｔｉ－Ｂ－Ｎ薄......
研究了汽相沉积过程中的衬底表面凹结构的成核热力学，指出可以通过衬底表面微结构设计来控制成核过程以实现点状结构的生长．计算了凹......
本文采用ＳＥＭ、ＥＤＡＸ和ＴＥＭ等手段研究了多靶磁控溅射制备的Ｃｕ－ＴｉＮ复合薄膜，并测定了薄膜的电阻率。研究表明：复合薄膜的微结构随ＴｉＮ含量及基片温度发生明显......
用真空共蒸发法沉积了ZnTe和ZnTe：Cu多晶薄膜，研究了Cu含量对薄膜结构和电学性能的影响．发现刚沉积的ZnTe薄膜和轻掺杂的ZnTe:Cu薄膜......
在硅基上制备出了c轴取向高度一致的ZnO薄膜 ,这将有可能成为新型GaN单晶薄膜的过渡层。对ZnO薄膜的晶体性能进行了分析 ,研究不同......
将织构组态熵的概念应用于沉积多晶薄膜织构演变的模拟研究，考虑薄膜沉积过程中晶体表面能各向异性及应变能各向异性的变化，建立了沉......
