氮化镓(GaN)相关论文
氮化镓(GaN)因具有耐酸碱、硬度大等特点使其难以进行精密加工.因此,高效实现GaN的化学机械抛光(CMP)成为了一个技术难题.CMP过程......
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表,具有高击穿电场强度和高热导率等优异的物理特性,是制作高频微波器件和大功率电力电......
以GaN 基为代表的半导体材料(GaN、AlN 和InN)与器件应用的突破皆是基于高温金属有机化合物化学气相沉积和分子束外延技术上实现的......
天线耦合的场效应晶体管(FET)太赫兹自混频探测器通常工作在零源漏偏压下,设置恰当的栅极电压可获得最佳的灵敏度.测试分析了天线......
利用基于Monte Carlo方法模拟实际物理过程的CASINO程序,研究Ga N基LED受不同能量电子辐照时电子运动和能量沉积情况等变化,得出不......
利用具备亚微米量级空间分辨率和纳秒级时间分辨率的热反射测温技术对工作在脉冲偏置条件下的CGH4006P型Ga N HEMT进行了瞬态温度......
第三代半导体材料氮化镓(GaN)是一种直接带隙宽禁带半导体,具有较高的电子饱和速度及载流子迁移率、高热导率、出色的击穿强度和耐......
自石墨烯（graphene）开创性工作以来,科研工作者就不断挖掘和研究碳族以外的新型二维材料。其中,以二硫化钼（MoS2）为代表的过渡金属硫系......
基于0.15 μm GaN HEMT工艺,设计并实现了一款超宽带毫米波GaN低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC).该放大器采用4级级联结构......
采用蓝宝石图形衬底（Patterned Sapphire Substrate）技术既可以提高 LED 的光提取效率，又能够有效地降低 GaN 外延层中的位错密度，改善......
期刊
氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)具有高工作电压、大功率密度、高截止频率等特点,被广泛应用于微波射频领域.然而GaN材料内部......
第三代半导体材料氮化镓(GaN)具有宽禁带、高临界击穿场强、高电子迁移率、高饱和电子漂移速度等优良特性,基于GaN材料的功率开关......
该文主要讨论了利用光谱法诊断等离子体的基本原理和方法,并且与电探针的测量方法及结果进行了比较;在此基础上,他们将这两种诊断......
GaN系材料在制备高亮度、短波长和白光LED、短波长激光器、紫外光探测器和高温电子器件等方面有着广泛的应用.有关GaN材料和器件的......
有关结果表明,在氨分子柬外延STE3N2系统中,以极高的温度(1 100-1 150℃)让氮化铝缓冲层进行增长是为DHFET(双异质结构场效应晶体......
基于国产的SiC衬底GaN外延材料,研制出大栅宽GaN HEMT单胞管芯。通过使用源牵引和负载牵引技术仿真出所设计模型器件的输入输出阻......
基于FUKUI噪声模型,分析了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的高频噪声特性,结果表明,由于GaN HEMT具有更高的临界电场和更大的电......
有关结果表明,在氨分子柬外延STE3N2系统中,以极高的温度(1 100-1 150℃)让氮化铝缓冲层进行增长是为DHFET(双异质结构场效应晶体......
应用一种分子动力学的方法，模拟预测了氮化镓（GaN）量子点在应变状态下的弹性模量和体积模量．通过在闪锌矿和纤维锌矿两类模型上施加不......
针对传统小型逆变器存在功率密度低、转换效率低及体积较大的问题,本文提出一种基于新型半导体材料氮化镓(GaN)的全桥拓扑分析,在......
有关结果表明，在氨分子柬外延STE3N2系统中，以极高的温度（1100—1150℃）让氮化铝缓冲层进行增长是为DHFET（双异质结构场效应晶体管）通道......
利用室温光致发光(PL)技术研究了在6H-SiC(0001)上用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)外延生长的GaN薄膜"黄带"发光(YL)特点,与扫描......
海面溢油是最常见的海洋污染物之一，对这类污染进行遥感监测并做出早期快速预报十分重要。研制并验证一种新型的紫外航空遥感推扫成......
介绍了中国电源学会举行的2016年GN Systems杯高校电力电子应用设计大赛的情况,详细讨论了 GS66502B , GS61004B两只电力电子开关......
在Si（111）衬底上用金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备生长了AlN和GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了A......
针对当前无线通信系统中射频功率放大器工作带宽窄、输出功率和附加效率低的缺点,本文基于CREE公司的GaN功率管设计了一款新型的L......
针对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)沟道温度过高导致器件性能下降的问题,提出一种降低GaN HEMT沟道温度的新结构,通过优化沟......
分析寄生电感与结温对GaN并联电路的性能影响。首先理论分析寄生电感与结温的影响情况,得出这些因素与电路损耗的关系式;并且结合......
氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代半导体材料的代表之一,具有临界击穿电场强、耐高温和饱和电子漂移速度高等优点,在电力电子......
氮化镓（GaN）材料已成功应用于光电子器件、高频功率器件等领域.近年来,由于GaN优异的材料特性,例如机械、热、化学稳定性以及生物兼......
基于凹槽栅增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）研究了不同的栅槽刻蚀工艺对GaN器件性能的影响。在栅槽刻蚀方面,采用了一种感......
采用有限元计算软件并结合多层膜理论，封蓝宝石衬底上氢化物气相外延（HVPE）生长氮化镓（GaN）厚膜的应力情况进行研究。由于衬底和厚膜不......
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GaN作为第三代半导体材料,具有宽能带间隙、高电子迁移率以及高导热性等优异特性,基于GaN材料的蓝光LED引领了半导体照明技术的第......
介绍了GaAs,InP和GaN等几种重要化合物半导体电子器件的特点、应用和发展前景。回顾了GaAs,InP和GaN材料的材料特性及其器件发展历......
GaN作为一种宽带隙(3.4 eV)的直接带隙化合物半导体材料,具有高热导率、高电子迁移率、良好的化学和热稳定性,在制备发光二极管(li......
氮化镓GaN(gallium nitride)材料非常适合应用于高频、高功率、高压的电子电力器件当中。目前,GaN功率电子器件技术方案主要分为Si......
近20年来,以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体功率器件具有电气性能和热性能等方面的优势,正在成为硅器件的强力替代品。业界成......
介绍5G时代新技术特征,由此引出需要新的器件支持;分析氮化镓材料特性以及工艺和器件的特性,详细说明5G时代需要氮化镓器件,特别是......
GaN作为第三代半导体材料,具有宽的禁带宽度、高的电子迁移率以及良好的导热性能等优异的特性,能够被广泛地应用于光电半导体、高......
作为最重要的第三代半导体材料之一,纳米氮化镓(Ga N)也引起了人们的广泛关注与重视.本文采用微波等离子体化学气相沉积(microwave......
通过分别改变电感耦合等离子体(ICP)刻蚀过程中的ICP功率和DC偏压,对ICP刻蚀GaN材料的工艺条件和损伤情况进行了系统的研究。刻蚀......
氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）由于其高电子迁移率、高电流密度及高耐压等突出特性而受到广泛关注,成为电力电子器件的一个重要......
氮化镓（GaN）纳米线由于具有优异的物理性质和化学稳定性高等特点,在纳米激光器、传感器、高温高功率器件等领域存在广泛的应用前景。......
世界的能源格局就是全球的竞争格局。乘用车作为重要的能源消费体,其能源使用路径的变更对国家战略有深远影响。车辆技术变革在我......
目前异质外延技术能够得到较高质量的氮化镓(GaN)薄膜,衬底普遍采用蓝宝石、碳化硅以及硅等。各种技术包括缓冲层、外延横向生长技......
