异质结双极晶体管相关论文
本文从热电反馈网络角度出发,在考虑到晶体管发射极电流随温度的变化、发射结价带不连续性(△EV)、重掺杂禁带变窄(△Eg)及基极和......
本文从器件Ⅰ~Ⅴ特性的角度表征了射频功率异质结双极晶体管(HBT)的自加热效应.研究了器件热阻、工作电压、电流增益、发射结价带不......
本文提出一种直接提取异质结双极晶体管(HBT)小信号等效电路参数的改进方法,不需任何数值优化即可提取所有等效电路参数值.为使算......
本文考虑了基区扩展效应、准饱和效应、速度饱和效应、自热效应、厄利效应、大注入效应以及发射结能带的不连续对载流子输运产生的......
Si1-x-yGexCy是继Si和GaAs之后的又一重要的半导体材料。由于Si1-x-yGexCy具有优于纯Si材料的良好特性,工艺和制程又可与Si工艺兼容......
利用GaAs湿法腐蚀各向异性的特点来形成BE结金属的自对准,对InGaP/GaAs HBT器件进行了研究.器件特征频率为40GHz(发射极面积为4μm......
本文提出了一种直接提取异质结双极晶体管小信号模型参数的新方法,并且成功地应用到InGaAs/InP异质结双极晶体管的小信号模型参数......
文章基于InGaP/GaAs HBT设计了一款输出信号为2次谐波的负阻推推式VCO.由于基极-发射极电流-电压非线性,显著的电压限幅和核心晶体......
异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transisitor,HBT)因其优良的高频性能及其与硅基CMOS工艺兼容的优点,使之成为毫米波频......
本文提出了一种直接提取异质结双极晶体管小信号模型参数的新方法,并且成功地应用到InGaAs/InP异质结双极晶体管的小信号模型......
介绍了具有自主知识产权的微波低噪声锗硅(SiGe)异质结双极晶体管(HBT),给出了器件的基本结构及它的基本工艺流程。通过对集电......
SiGe异质结双极晶体管(HBT)器件的截止频率(ft)、最大振荡频率(fMAX)等都精确地依赖于基区中Ge的分布剖面及基区掺杂的分布。综合......
本文介绍了SiGe异质结双极晶体管的特点及其失效机理,并讨论了SiGe HBT晶体管纵向及横向结构参数的设计,并对加速寿命试验中发生失......
本文讨论了X波段微波功率异质结双极晶体管(HBT)的设计,介绍了器件研制的工艺过程及测试结果.研制的器件在X波段功率输出大于5W,功......
本文介绍了基于分子束外延(MBE)法生长的锗硅/硅(SiGe/Si)结构的异质结双极晶体管(HBT)的研制.在该项研究工作中,SiGe/Si薄膜是用......
讨论了异质结双极晶体管器件设计及外延材料的优化,介绍了异质结双极晶体管研制的工艺过程。......
利用ISE-TCAD软件对SiGe HBT基区杂质外扩对器件性能的影响和Si和GeSi本征层对基区杂质外扩的阻挡作用、差异和优化进行了模拟,建立......
通过分子束外延生长SiGe层制成了适于集成的平面结构SiGe异质结双极晶体管(HBT)。在300°K下,HBT的直流电流增益β为30-50,基极开路下的收集极-发射极反向击穿电......
该文将传输线矩阵(Transmission Line Matrix,TLM)法运用到扩散问题的求解中,分别讨论了TLM法在热传导方程和载流子输运方程的求解问题,给出了求解方法。最后以异质......
基于Sanan 2 μm GaAs HBT工艺,提出了一种差分Colpitts结构的高功率低相位噪声正交压控振荡器(QVCO).该QVCO采用四只环形连接的二......
该论文的主要内容是对两种新结构微波晶体管和一种新结构硅光电晶体管进行了研究.赝配调制掺杂场效应晶体管(pMODFET)是一种应用广......
该论文对与设计高线性、高效率功率放大器的相关问题进行了研究,主要分为以下几个部分内容.1、选取高性能的器件.通过对功率放大器......
该论文利用基于异质结器件物理模型的公式计算并分析了材料结构和器件几何尺寸对器件最小噪声系数,截止频率和最大振荡频率等性能......
光电子集成电路(OEIC)以其体积小、结构紧凑、寄生效应小以及低成本、低功耗的优点成为实现超大容量信息高速传输、处理、交换和存......
本论文对2.5Gbps和20Gbps光调制驱动电路进行了研究,主要包括器件的研制、电路拓扑设计、器件和电路关键工艺研究以及微波测试。取......
异质结双极晶体管(HBT)以其高效率、高功率密度的优势成为微波功率应用的关键器件之一。本论文对C波段InGaP/GaAsHBT直流特性、高......
C/X波段混合微波集成(HMIC)内匹配功率管和单片微波集成(MMIC)功率放大器是现代通讯和雷达系统的关键元件,特别是X波段MMIC功率放大......
本文主要研究了禁带变窄效应对InP基HBT电学性能的影响,主要内容包括: 1)比较系统地研究总结了InP基HBT理论模型及其相关物理量的......
异质结双极晶体管(HBT)具有高输出功率、优异的高频特性、较宽的线性和高的效率,广泛适于功率放大器、雷达、通讯及电子战系统、微......
虚拟衬底应变Si/SiGe异质结双极晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)采用SiGe材料作为衬底,可有效降低衬底对基区SiGe外......
该文探讨了GaAs HBT在高速和射频领域的应用前景;介绍了HBT的基本原理、基本结构及主要类别;分析了GaAs基HBT制作的关键工艺;较好......
异质结双极型晶体管(HBT)在微波功率领域具有举足轻重的地位。在功率应用时,晶体管本身内部产生的耗散功率导致自热效应,使晶体管的......
通过在Si BJT基区引入Ge,形成了基区禁带宽度较窄的SiGe异质结双极晶体管。与传统的Si双极型晶体管相比,它具有更高的频率特性,因而在......
近年来,电信网、计算机网、英特网以及通信与多媒体技术的迅猛发展使得人们对数据信息的需求量持续增加,光纤通信的发展满足了人们对......
学位
该文首先叙述了HBT的特性、结构设计、典型材料结构、制作工艺以及GaAs基异质结双极晶体管结构的研究状况,然后详细描述了分子束外......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计实现了一款用于3GPP WCDMA 850/2100(band-I/band-V)的双频单芯片功率放大器(PA)。PA采用单端共......
采用 GSMBE技术 ,在材料表征和分析的基础上 ,通过优化生长条件 ,生长出高性能In0 .4 9Ga0 .51P/ Ga As异质结双极晶体管 (HBT)微......
为解决闩锁效应,设计了一种新颖的异质结双极晶体管触发可控硅(NHTSCR).利用异质结晶体管串联反向异质结晶体管来分流SCR的方法,抑......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
对制作的 Si1-xGex/Si多层异质外延结构进行了研究。并对其做了反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)和扩展电阻(SR)等测量,给出了利用这种结构研制出的异质......