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AlGaN/GaN异质结兰光激光器和发光管近年来得到很大的发展.高速和高功率的AlGaN/GaN异质结场效应管(HFET)的研究也得到很大的重视.AlGaN 薄层中的Al组分是决定此类器......
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了大栅压摆动下的沟道电子状态,发现高栅压下电子波函数向势垒层的渗透和激发子带向势垒层......
使用有限元软件ANSYS,对通孔结构Si衬底Al GaN/GaN HFET进行了热特性模拟。首先,根据器件结构建立了以栅极为热源的分析模型。然后......
阐述了近来毫米波器件及电路的技术动向.异质结FET和HBT在InP系突现出优越的性能,在GaAs系已完全进入系统应用阶段.在此应用观点的......
利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在ZnO/ZnMgO异质结构上制备SiO2作为栅绝缘层,采用光刻与腐蚀工艺制备ZnO/ZnMgO异质结场效应......
Ⅲ族氮化物半导体具有宽禁带和直接带隙,导带能谷间距大,强场输运特性好.AlGaN/GaN异质结产生高密度的二维电子气,屏蔽了杂质和缺......