论文部分内容阅读
利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术，在ZnO／ZnMgO异质结构上制备SiO2作为栅绝缘层，采用光刻与腐蚀工艺制备ZnO／ZnMgO异质结场效应管。电学性能测试及计算结果表明器件栅压调控作用明显。发现栅端漏电流对器件性能造成一定影响。在低温条件下，栅绝缘层产生钝化，从而能够改善器件的性能。