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在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制,建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长SiGe/S i材料的原位掺杂控制技术.采用该技术生长的SiGe/Si HBT外延材料,可将硼杂质较好地限制在SiGe合金基区内,并能有效地提高磷烷对N型掺杂的浓度和外延硅层的生长速率,获得了理想N、P型杂质分布的SiGe/Si HBT外延材料.