C掺杂SiGe 相关硕士博士期刊学术论文

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硼的瞬时增强扩散（TED）所造成的外扩散将对双极晶体管的性能产生不利影响。在HBT的SiGe区加入C（＜10^20cm^-3），能够抑制掺杂硼的外扩散。......

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