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研制了一种平面集成多晶发射极SiGeHBT。经测量，在室温下电流增益β大于1500，最大达到2800，其Vceo为5V，厄利（Early）电压VA大于10V，pVA乘积达到15000以上。这种器件对多晶硅发射极砷杂质浓度分布十分敏感。
一种具有高电流增益的平面集成SiGeHBT
【摘 要】
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研制了一种平面集成多晶发射极SiGeHBT。经测量，在室温下电流增益β大于1500，最大达到2800，其Vceo为5V，厄利（Early）电压VA大于10V，pVA乘积达到15000以上。这种器件对多晶硅发射极砷
【机 构】
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重庆邮电大学,模拟集成电路国家重点实验室、中国电子科技集团公司第二十四研究所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2006年5期
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