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基于SiGe HBT（异质结双极晶体管）大信号等效电路模型，建立了SiGe HBT大信号发射结扩散电容模型和集电结扩散电容模型．该模型从SiGe HBT正反向传输电流出发，研究晶体管内可动载流子所引起的存储电荷（包括正向存储电荷和反向存储电荷）的基础上，同时考虑了厄利效应对载流子输运的影响，其物理意义清晰，拓扑结构简单。将基于大信号扩散电容模型的SiGe HBT模型嵌入PSPICE软件中，实现对SiGe HBT器件与电路的模拟分析。对该模型进行了直流特性模拟分析，直流模拟分析结果与文献报道的结果符合得较好