发光波长相关论文
基于有效质量近似和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,理论研究了纤锌矿ZnSnN2/Inx Ga1?x N柱形量子点中基态激子......
面向量子器件实用化和集成化的发展趋势,基于半导体量子点的全固态器件方案是实现单光子源的理想选择.在这方面,国际上有很多研究......
光纤通讯用GaAs基高性能1.55微米量子点激光器引起了人们的广泛关注。然而,由较大晶格失配引起的应变、位错等缺陷,导致GaAs基InAs......
本文用MOCVD方法生长InGaN/GaN-MQW基LED结构,通过固定阱温,改变垒湿的方法研究了阱(InGaN)和垒(GaN)甚生长温差对MQW表面形貌和发......
腺苷 5-triphosphate (ATP ) 的选择识别具有由于它到有机体的不可缺少的功能的大意义。另外，因为，它是一项挑战性的任务另外的 nucl......
设计并合成一类含三联苯液晶基元的甲壳型液晶聚乙炔(—{HC C—[(CH2)mOOC-terpheyl-(OC6H13)2]}n—,m=5,PHA5TP(OC6)2;m=9,PHA9TP......
合成了一种新型环金属铱(Ⅲ)配合物(dpci)2Ir(pic),通过核磁共振氢谱和飞行时间质谱对配合物的结构进行了确定,同时对其光物理性能......
以4-硝基邻苯二腈为起始原料合成了β-四-(4-甲氧基苯氧基)酞菁(简称MPPc),通过IR、UV-Vis、1H NMR、质谱和元素分析表征了其结构......
在化学与材料科学研究领域中,有机功能性材料由于具有独特的电子结构和优良的光电活性而受到广泛地关注。其中,铂(II)配合物因其具......
本文描述了采用JS-450D型射频溅射设备,在GaAs衬底上获得了AIN薄膜。对这种膜在H_2、N_2中不同温度下退火实验,分析了热处理对膜绝......
聚合物材料由于成本低廉,器件制备工艺简单,高量子效率,因此近年来越来越受到人们的重视。用聚合物材料作为有源层制作的发光二极......
将激光染料分子有效地嵌入多孔硅中，获得多孔硅／染料分子复合体。嵌入微量染料分子时，复合体的发光兼有多孔硅和激光染料两者的发光特......
本文通过对垂直腔面发射激光器发光波长随器件本身温度变化的实验研究，得到了我们研制的垂直腔面发射激光器在连续工作状态下内部温......
本文研究了富硅氧化硅薄膜掺入铒的发光特性．富硅氧化硅薄膜（氧含量为６０％）采用ＰＥＣＶＤ方法生长，室温下离子注入铒，经过８００℃，５ｍｉｎ的退火，在１０～３００Ｋ温度下得到较强的......
激光二极管具有体积小、功率大、重量轻、耗电省、可靠性高、波长短等特性。在诸多应用领域内,它与其它气体、固体激光器相比毫不......
利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ橙色发光二极管，２０ｍＡ工作条件下发光波长峰值在６２８ｎｍ，ＦＷＨＭ为２６ｎｍ，１５°（２θ１／２）视角封装后亮度达到３１０ｍｃｄ；８０ｍＡ工作条件下亮度达到１０００ｍｃｄ。并且分析了生长过程中杂质向......
利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ结构橙黄色发光二极管．引入厚层Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ电流扩展层和Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ－ＡｌＡｓ分布布拉格反射器（ＤＢＲ）．２０ｍＡ工作条件下，工作电压１．９Ｖ，发光波长峰值在６０５ｎｍ，峰值半宽为１８．３ｎｍ，管芯平均亮......
采用微波等离子体化学气相沉积（ MPCVD）法成功地在多孔硅上沉积出均匀、致密的金刚 石膜。光致发光测量表明，金刚石膜可以有效稳定多......
用MOCVD方法生长了3种InGaAs/Al0.2Ga0.8As应变多量子阱(MQWs)样品,用于研究在气相中TMIn的含量对MQWs的发光波长和半峰宽(FWHM)以......
近年来,随着原子能工业、电子工业以及稀土电光材料的迅速发展,对痕量稀土测试方法的灵敏度提出了新的要求。迫切需要探索一些灵......
用MOCVD技术在偏(100)GaAs衬底上生长了发光波长在1·3μm的线状空间规则排列InAs量子点.光致发光实验表明,相对于正(100)衬底,偏(......
采用溶胶凝胶技术通过添加Ce(NO3)3制备了掺杂Ce3+离子的纳米SiO2材料,进行了不同温度的氯化处理。采用电子能谱、吸收光谱以及荧......
本文测量了槲皮素的化学发光光谱,λ_(max)为520nm。研究了槲皮素的化学发光反应,反应过程的荧光,动力学特性及产物的纸色谱。首次......
英国圣安德鲁斯大学的研究人员发明了一种红光波段的硅-聚合物混合激光器。这种混合型激光器结合了微结构硅谐振
Researchers at ......
用有限元法对InAs/GaAs量子点材料的应变分布进行了研究,特别强调了三元化合物In0.2Ga0.8As应变减少层对各个应变分量的影响。在应......
日亚化学公司开发出连续振荡时中心波长为488nm的蓝绿色半导体激光元件,2008年3月开始样品供货。该产品在使用GaN系半导体激光元件......
罗姆公司正在接近其制造激光电视用的非极性绿光激光二极管的目标。该公司已将其连续波(CW)激光器的峰值发光波长扩大到481nm,比其......
德国Pietrzak Agnieszka等研制出了一种发光波长为1100nm、垂直发散角13°并且具有高光学功率和效率的LD。这种光束在光学系统中易......
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al0.48Ga0.52N/Al0.54Ga0.36N多量子阱(MQWs)结构。通过双晶X射线衍......
设计与合成了一种基于Pt配合物的新型磷光材料(ppy)Pt(bcam),用其制备了相应的磷光器件,器件的结构为ITO/NPB(50 nm)/CBP(15 nm)/(......
德国欧司朗光电半导体(OSRAM Opto Semiconductors GmbH)宣布,开发出了驱动电流为350 mA时发光效率高达119lm/W的红色LED(英文发布......
采用真空蒸镀的方法,制备了以ITO/2T-NATA(15nm)/NPB(25nm)/Alq3(30nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)为基本结构的绿光器件,实验中在NPB(25n......
利用金属有机化合物气相沉积设备生长了不同盖层结构的InAs/GaAs量子点,采用原子力显微镜和光致发光光谱仪对量子点的结构和光学性......
量子点的光学特性与量子点的大小均匀性、密度、内部应变以及隔离层的厚度等有密切关系.文中从理论角度定量研究了GaNXAs1-X应变补......
用ＰＭ３系列方法研究了两个１，５－环辛二烯－３，７－二炔取代方酸内盐分子．对它们进行 了几何结构优化，并在优化构型的基础上，计算了上述两个分子的电荷密......
研究了阳极腐蚀条件及单晶硅的导电类型和掺杂原子浓度等对多孔硅微结构与室温可见区光致发光性能的影响 .结果表明 ,延长腐蚀时间......
利用变注入强度的电致发光(EL)测试和数值模拟方法研究了微米LED大注入条件下的发光特性。EL测试结果显示,微米LED(10μm)在工作电......
采用模拟计算的方法,运用量子点模型对GaN基LED器件中不同尺寸量子点的电致发光光谱进行模拟分析,并对器件结构中电子空穴浓度,辐......
使用典型天蓝色磷光材料FIrpic作为磷光金属微腔有机发光器件(OLED)的发光层,以高反射的Al膜作为阴极顶电极和半透明的Al膜作为阳......
采用软件理论分析的方法分析了InGaN/GaN量子阱数量变化对双波长发光二极管发光光谱、内量子效率、电子空穴浓度分布、溢出电流等......
使用PCDTBT作为发光层材料,制备了发光波长为705 nm的红色有机电致发光器件,其结构为ITO/PEDOT:PSS/PCDTBT/BCP/LiF/Al.器件启亮电......
