高k栅介质相关论文
随着CMOS集成电路工艺已经来到5nm技术节点,传统的Si基MOSFET的特征尺寸和器件结构已经达到了它们的理论物理极限,从而限制了CMOS......
近年来,一维（1D）纳米结构由于其独特的理化性质、优异的传输特性、大的比表面积以及良好的稳定性而受到广泛关注。以In2O3为代表的1D......
随着CMOS技术节点按比例缩小逐渐走向终结,后摩尔时代新器件将影响和决定未来微电子器件技术发展和集成电路产业格局。传统Si O2栅......
研究了铪基金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistors,MOSFETs)栅介质中陷阱诱导的退......
超大规模集成电路工艺集成度的不断提高，要求栅介质的厚度越来越薄.由栅氧化层的隧穿效应而产生的漏电流等静态功耗随之成指数形式......
跟常规的场效应晶体管不同，有机场效应晶体管具有可柔性折叠、低成本大面积制备等优点，在近几年来得到飞速发展。在射频标签、传感器......
提出了一种具有极高热稳定性的新型金属栅/高K栅介质结构-HfN/HfO2栅结构。利用所提出的具有极高热稳是性的HfN/HfO2栅结构，结合Si......
高电子迁移率的Ⅲ-Ⅴ族半导体有望取代硅，作为下一代金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的沟道材料应用于超大规模集成电路上[1]......
金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET),要求其器件特征尺寸越来越小,当光刻线宽小于100nm尺度范围后,栅介质氧化物层厚度开......
随着MOSFET 等半导体器件按摩尔定律持续等比缩小,单个芯片上集成的晶体管数量成指数增加,同时产品的功耗也逐渐降低。当MOS ......
MoS_2作为一种典型的2D半导体材料,由于其优异的电学特性,被寄予了替代传统硅材料在纳电子器件中发挥重要作用的希望。然而MoS_2作......
热退火技术是集成电路制造过程中用来改善材料性能的重要手段.系统分析了两种不同的退火条件(氨气氛围和氧气氛围)对TiN/HfO2/SiO2......
比较研究了HfO2与HfLaO栅介质多层MoS2场效应晶体管.实验结果表明,与HfO2栅介质MoS2晶体管相比,HfLaO栅介质MoS2晶体管表现出更优......
随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小，传统的CMOS器件对新材料、新工艺和新结构等诸多技术提出了新的要求，尤其是进入45nm技术节点后，高k/......
本论文研究高k栅介质/金属栅结构CMOS器件金属栅极/高k栅介质/SiO2/Si栅结构的平带电压(VFB)偏移的物理起源。
首先，本论文基......
高K栅介质与金属栅的引入，是推动MOS管集成技术沿着摩尔定律继续前行的重要推手，被戈登·摩尔认为是从推出多晶硅栅MOS晶体管以来，晶......
随着MOSFET特征尺寸的不断减小,Si基MOS器件的发展不断逼近其物理极限,栅极漏电的增加直接导致器件不能正常工作,为减小栅极漏电,......
高性能AlGaN／GaN HEMT器件在高温、微波大功率应用上拥有明显的优势,然而AlGaN／GaN异质结HEMT器件仍然存在着界面缺陷、栅泄漏电流较......
采用脉冲激光沉积法制备Ni-Al-O或Ti-Al-O高k薄膜,采用溶胶-凝胶法制备PbZr_(0.2)Ti_(0.8)O_3(PZT)铁电薄膜,构架了Pt/Ni-Al-O/Pt ......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
选择HfO_2高K姗介质作为研究对象,利用反应溅射方法制备了HfO_2栅介质薄膜,分析不同的工艺制备条件对其HfO_2栅介质电学性质和可靠......
通过数值方法求解泊松方程和薛定谔方程的自洽解,提出了考虑量子效应时不同于经典理论的阈值条件,并得出了精确的一维阈值电压模型......
研究了HfN/HfO_2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/H......
利用射频反应共溅射方法制备了Y掺杂Al2O3电介质薄膜,用掠入射x射线衍射检测了薄膜的结构,用高分辨率扫描电子显微镜(HRSEM)、原子......
研究了CeO2作为高K(高介电常数)栅介质薄膜的制备工艺,深入分析了衬底温度、淀积速率、氧分压等工艺条件和利用N离子轰击氮化Si衬......
金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET),要求其器件特征尺寸越来越小,当光刻线宽小于100nm尺度范围后,栅介质氧化物层厚度开始逐......
在氧气和氩气的混合气体中,以O2/Ar流量比固定为1/4的条件,通过改变正偏压大小,采用多弧离子镀方法制备了新型高k栅介质——ZrO2薄......
La2O3是一种高k栅介质材料。本文采磁控溅射方法制备了硅基La2O3薄膜,用热蒸发法在薄膜表面分别制备了Al和Pt电极,采用电流-电压法......
对高k栅介质MOSFET栅极漏电进行研究,确定栅介质的厚度,然后使用PISCES-Ⅱ模拟器对高k栅介质MOSFET的阈值电压、亚阈斜率和Idsat/I......
在N2/O2气氛中,使用Ti、Hf靶共反应溅射在衬底Si上淀积一种新型栅介质材料HfTiON,随后分别在N2气氛中600°C和800°C退火2......
采用磁控溅射方法，在Si衬底上淀积HfTiO高k介质，研究了NO、N2O、NH3和N2不同气体退火对MOS电特性的影响。结果表明，由于NO氮化退火能......
采用磁控溅射方法，在Si衬底上制备HfTaON高五栅介质，研究了A10N、HfON、TaON不同界面层对MOS器件电特性的影响。结果表明，HfTa0N／AlON......
采用电子柬蒸发方法，在Ge衬底上淀积La2O3高k栅介质，研究了O2、NO、NH3和Nx不同气体退火对MOS电容电特性的影响。测量了器件的C—V和......
介绍了国内外对高K栅极介质的研究现状.分析了适合用于作为栅极介质的高介电常数材料的种类,用于制备高K薄膜的方法.最后提出了目......
采用反应脉冲激光沉积方法（PLD）分别在n-Si（100）和Pt/Ti/SiO2/Si（111）衬底上生长了Ni-Al-O栅介质薄膜,将样品在不同温度下进行快速退火处......
二氧化硅由于具有良好的绝缘性能及稳定的二氧化硅/硅衬底界面而长期用于晶体管技术.然而对于纳米线宽的集成电路,需要高介电常数(......
采用原子层淀积方法,在不同生长温度下制备了HfO2高k栅介质薄膜,研究了生长温度对HfO2薄膜特性的影响.实验结果表明,HfO2薄膜的生......
研究了CeO2作为高K（高介电常数）栅介质薄膜的制备工艺，深入分析了衬底温度，淀积速率，氧化压等工艺条件和利用N离子轰击氧化Si衬底表面工......
采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管(MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2薄膜．X射线光电子能谱(XPS)分析结果显示......
给出包括栅电介质与耗尽层区域的边界条件和二维沟道电势分布．根据这个电势分布，得出高k栅介质MOSFET的阈值电压模型，模型中考虑短沟......
利用TCAD软件搭建高效的双栅及三栅FinFET模型,研究影响多栅器件性能的相关参数。结果显示,随着栅极有效控制面积的增加,器件栅控......
采用高真空反应蒸发法在未加热的p型Si（100）衬底上实现了非晶Er2O3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比.X......
随着微电子技术的迅猛发展,集成电路的集成度不断增大,器件的尺寸不断缩小.当MOSFET尺寸缩小到0.1 nm的尺度以下时,栅氧化层的等效......
为了替代传统的SiO2栅介质，利用射频反应溅射法在Si衬底上制备了新型HfSiON薄膜。研究了HfSiON薄膜的成分、结构和介电性能。由XRD......
随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小，绝缘栅介质层也按照等比例缩小的原则变得越来越薄，由此而产生的栅漏电流增大和可靠性降低等问题变......
使用射频磁控溅射法在n型Si（001）基片上生长了Gd2O3薄膜。X射线衍射扫描研究和高分辨透射电子显微镜观察表明,薄膜由立方相和单斜相......
文章在分析短沟道效应和漏致势垒降低(DIBL)效应的基础上，通过引入耦合两效应的相关因子，建立了高k栅介质MOSFE了阈值电压的器件物理......
