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随着电路工艺的不断提高和对电路性能要求加强,大规模集成电路的设计也从传统的二维(面积+时延)设计走到了三维(面积+时延+功耗).......
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针对MOS栅控晶闸管(MCT)在电容储能型脉冲功率系统中,面临高电压变化率(dV/dt)而导致的误开启现象,首次通过实验和仿真研究了亚阈......
