本文采用YON界面钝化层来改善HfO2栅介质Ge metal-oxide-semiconductor（MOS）器件的界面质量和电特性.比较研究了两种不同的YON制备方......

随着集成电路的持续发展,MOSFET器件性能亟需进一步的改进提高,高迁移率沟道材料(如Ge和III-V族化合物半导体)代替传统Si衬底为器......

当前,随着MOS器件尺寸的不断减小,硅基CMOS技术已经逐步达到其理论极限,而III-V族化合物半导体材料因为具有更高的载流子迁移率,因......

传统Si基CMOS器件经过几十年的持续发展和进步已日益接近其物理极限,很难满足小尺寸和低功耗的进一步需求。Ge是目前已知空穴迁移......

铁电存储器是一种利用铁电薄膜材料的自发极化在电场中两种不同取向作为逻辑单元来存储数据的非易失性存储器,且具有高速度读写、......

当MOSFET特征尺寸缩小到10纳米节点后,基于硅的CMOS技术将趋于理论极限,而高迁移率沟道材料(如Ge和Ⅲ-Ⅴ族半导体)最有可能替代应......