薄膜晶体相关论文
以SiO/Si,Au/SiO/Si和玻璃为基片，利用直流磁控溅射装置淀积了nc-ZnO薄膜，应用磁控溅射技术淀积压电nc-ZnO薄膜可以减小电子对nc-ZnO......
异质外延生长晶体与衬底材料晶体之间不可避免地存在晶格失配,外延薄膜中往往会因失配应变场作用诱发形成大量的失配位错,它们往往......
采用电子显微镜薄膜品体技术,研究了荡坪钨矿床中辉钼矿薄膜晶体的电子显微结构;并对辉钼矿进行X射线相分析、硫同位素组成及其矿......
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利用脉冲激光沉积技术在c-Al_2O_3单晶基片上制备了Bi_2Sr_2CO_2O_y热电薄膜并研究了沉积温度和氧压对薄膜晶体结构及电输运性能的......
通过引入SiO2氧化物缓冲层,在金属Pt电极上利用射频磁控溅射技术成功制备出高质量的VO2薄膜.详细研究了SiO2厚度对VO2薄膜的晶体结......
以3种不同分子量的聚氧乙烯(PEO)为研究对象,探讨了等温结晶温度(Tc)、等温时间、分子量等因素对PEO超薄膜晶体等温增厚行为的影响......
菊池线是研究晶体结构的一种重要的信息,在电子衍射分析工作中有着广泛的应用。例如,对一些晶体学问题,我们经常需要求出晶体相对......
采用金属有机物热分解（ＭＯＤ）法，通过对原料的提纯和合成工艺的优化，消除原料中的微量杂质，控制环境温度，从而获得了透明、稳定的锆钦酸铅先体......
叙述了Ｂｉ，Ａｌ：ＹＩＧ薄膜的液相外延生长，研究了这种薄膜材料的光吸收系数、法拉第旋转角、磁光优值及生长感生磁各向异性与Ｂｉ含量的关系。在此基础......
Ｂ－ＦｅＳｉ２是近年来发展起来的新型硅基光电材料。详细介绍了Ｂ－ＦｅＳｉ２的结构，电学、光学性质以及它的制备技术。对目前存在的问题以及未来的研究动向作......
重点研究了利用偏轴射频溅射的方法在Ｓｉ衬底上生长ＹＳＺ（Ｙ稳定的ＺｒＯ２）缓冲层及Ｂｉ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ超导薄膜的工艺，获得了８２Ｋ的超导转变温度（Ｔｏｎ）。利用扫描原子显微镜和原子力......
通过热压方法制备AlCrTaTiZr高熵合金合金靶材,采用磁控溅射方法在抛光后Si基体表面制备AlCrTaTiZrNx高熵合金涂层,并用扫描电镜、......
测试了采用磁控溅射工艺制备得到含金刚石碳薄膜的场发射性能，试验结果表明含金刚石薄膜具有良好的场发射性能，最小场强阈值为３７Ｖ／μｍ，其相......
纳米电子器件是微电子器件发展的下一代 ,现有微电子器件的主要材料是极纯的硅、锗和镓砷等晶体半导体。纳米电子器件有可能是以有......
本文报道了利用 MOCVD方法 ,在 Ga As衬底 ( 0 0 1 )面制备的立方 Ga N薄膜的光学性质 .利用光致发光 ( PL )光谱的半高宽确定制备......
高温超导（ ＨＴＳ） 材料具有接近于无耗的特性，利用它可以构成高质量的微波谐振器、滤波器、多工器和天线等。它们可大大地改善微波系统的性......
呈有序结构的FePt薄膜,由于具有极高的单轴磁各向异性,有望成为未来高密度磁记录介质。日本埼玉大学理工学研究科Koichi Kakizaki......
采用脉冲激光沉积方法在p-Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,分别在500℃、600℃和700℃下真空退火,采用X射线衍射仪研究了退火对ZnO薄膜......
采用等离子体增强化学气相沉积技术,以SiH_4作为硅源,NH_3和N_2共同作为氮源,在单晶硅衬底上制备了不同的氮化硅薄膜.X射线衍射分......
介绍了新型材料ZnO的各项性能,并采用原子层沉积方法制备新型材料ZnO.实验中采用二乙基锌(DEZn)和水作为生长ZnO的前驱体源,在蓝宝......
脉冲激光沉积(PLD)技术凭借其低温生长优势,逐步在GaN薄膜外延领域得到广泛应用。回顾了近年来PLD技术外延生长GaN薄膜的研究进展,......
本文系统研究了厚度约1μm的Al掺ZnO(AZO)薄膜的低温电子散射机制.研究发现,薄膜在较高温区的电阻温度系数为正值,且载流子浓度在2......
现代波长色散程序式X射线光谱仪备有和试样面很近端窗X射线管,在长波区又使用多层薄膜晶体,这样使仪器有很高灵敏度,特别是轻元素,......
本文用射频磁控溅射法制备了CeO2-x高温氧敏薄膜。利用X射线光电子能谱（XPS）研究了不同处理条件对CeO2-x薄膜电子组态的影响，特别是对......
采用反应磁控溅射法制备了CrN、CrSiN与CrAlN复合薄膜,分析了复合薄膜的微观结构,并考察了3类薄膜的摩擦磨损性能.结果表明:所制备......
我们采用普通的ＨＯ２－１型氧－乙炔微型焊炬，沉积出了全范围晶型良好的高质量金刚石膜，并用扫描电镜和激光拉曼散射光谱研究了其生长的区域分布......
介绍了采用ＭＯＣＶＤ或ＨＶＰＥ技术高质量异质外延生长ＧａＮ薄膜的发展状况。分析和比较了以不同材料为衬底或过渡层生长ＧａＮ的工艺过程和薄膜质量，对生长动力......
本文利用 Ｒ·Ｆ溅射技术在炮钢基上沉积Ｔａ－１０Ｗ合金薄膜，运用 ＸＰＳ、ＸＲＤ和划痕等测试手段对薄膜的成份、晶体结构及附着力进行了全面的研究。结果表明......
在Ｈｅ－Ｏ２混合气压恒定，射频功率为４０Ｗ～５０Ｗ、高压汞灯加热电流为５Ａ～６Ａ，衬底被加热到１００℃的条件下，以ＷＯＣＩ４作源，采用等离子体增强ＣＶＤ技术制备了ＷＯ３薄膜．沉积速度为４３ｕｍ／ｍｉｎ．该膜为无......
由于铁电薄膜的诱人应用前景,最近几年受到人们的极大关注。铁电氧化物薄膜可望用于多种微电子学和光子学器件,如:铁电存储器,电光......
发展了一种描述金原子间相互作用的多体势，它是结合二体Ｍｏｌｉｅｒｅ势与半经验紧束缚势的一种混合势将该混合势应用于分子动力学模拟中，研究了金......
对不同基体上采用直流气体放电活化反应蒸发沉积法（ＤＣ－ＧＤＡＲＥ）制备的氧化锡超微粒薄膜的晶相结构进行了分析。结果表明：不同的基体对此类薄膜的......
用用性气体（Ne＋、Xe＋）离子束辅助沉积（IBAD）技术，合成了金红石型氧化钛薄膜在薄膜生长过程中，离子束以45°角轰击薄膜．通过增加离子原子到达......
概述了复合薄膜表面技术研究进展以及在航空、航天等方面的应用，并提出了有待深入研究的问题。
The research progress of composi......
在硅基上制备出了c轴取向高度一致的ZnO薄膜 ,这将有可能成为新型GaN单晶薄膜的过渡层。对ZnO薄膜的晶体性能进行了分析 ,研究不同......
用双舟热蒸发制备了掺稀土硫化锌薄膜，用ｘ射线衍射技术对硫化锌粉末和所制薄膜的晶体相结构进行研究，发现硫化锌薄膜的晶体结构与硫化......
采用射频磁控溅射制备Mn掺杂CuO薄膜样品。X射线衍射结果说明薄膜样品为单相结构且沿(111)取向生长。通过样品的XRD精修得到样品的......
采用ZYGOMarkIII-GPI数字波面干涉仪对以K9玻璃为基底的电子束蒸发方法制备的HfO2薄膜中的残余应力进行了研究,讨论了沉积速率、氧......
通过混合物理化学沉积法(hybrid physical-chemical vapor deposition,简称为HPCVD),我们在多种单晶衬底上制备出了MgB2超导薄膜.......
