磁阻效应相关论文
磁阻与忆阻效应在传感器和存储芯片等电子产品上具有广泛的应用价值,受到了广大科研人员的持续关注。其中,非磁性材料Si与SnSe2具......
有机半导体由于其易加工,低成本等优势引起广泛的研究与关注。随着研究的不断深入,研究人员发现了有机半导体磁阻效应（OMAR）,认为通......
钙钛矿型La1-x（Ca,Sr）xMnO3由于电荷、自旋、晶格和轨道等多自由度之间的复杂耦合而表现出丰富的物理特性,如磁阻（MR）效应、金属–绝缘......
作为典型的强关联电子体系,具有庞磁阻效应的锰氧化物一直以来都是凝聚态物理的研究热点。这不仅是因为其在磁电子学领域的潜在应......
自上世纪八十年代在二维电子气中发现量子Hall效应以来,人们逐渐认识到固体材料中电子能带结构的拓扑性,对材料的分类以及对材料物......
具钙钛矿结构之氧化物如La-Sr-Mn-O(LSMO)、La-Ca-Mn-O(LCMO)、La-Ba-Mn-O(LBMO)等，因此类材料具有巨磁阻效应故可应用在磁记录媒体......
铌酸锂晶体广泛应用于集成光学和非线性光子学等领域[1]。然而，光折变效应限制了铌酸锂晶体在光参量振荡、倍频转换等方面的应用。......
通过XRD测量了ErTbMnSn(x=0-0.6)的晶体结构.通过Tb取代量的增加,化合物表现出反铁磁到亚铁磁的转变,自旋取向温度也逐渐增大.ErTb......
在LaCaMnO中用Dy对La进行了部分替代,随替代量增加,材料的居里温度T和相变温度T单调下降,磁电阻比急剧增大.这是因为掺Dy在材料中......
本文基于电子密度泛函理论计算和非平衡态格林函数技术研究了具有三明治结构的磁性隧道结构(非极化SrTiO3薄层被夹在两个赫斯勒合......
从待测磁场的频率特性出发，比较了超导SQUID磁强计、感应线圈磁强计、磁通门磁强计、霍尔传感器、各向异性磁阻传感器、巨磁阻......
报导了 Dy_3-xVxS_4和 Nd_3-xVxS_4的电阻率和磁阻效应测量,这里 Vx 表示空位,X 值在0和1/3之间。测量的温度范围从液氮(4.2K)至......
利用脉冲激光沉积技术在c-Al_2O_3单晶基片上制备了Bi_2Sr_2CO_2O_y热电薄膜并研究了沉积温度和氧压对薄膜晶体结构及电输运性能的......
采用固态反应法合成三元硫化物Y2CrS4,并研究其晶体结构、磁性和磁传输性质。通过精修室温X射线衍射数据,获知其空间群为Pca21、晶......
无机固体材料中的电子自旋态是决定其磁学行为的核心因素,同时也是实现高效磁能转化和灵敏磁响应的重要基础.近年来,由于具有新奇......
利用霍耳效应研究半导体材料的电阻率，载流子浓度和迁移率是霍耳测量的主要技术之一。文章简单介绍了ＨＬ５５００霍耳测量系统；列举了用该霍耳系......
一、引言稀土硫属、氮属化合物是指稀土与第ⅥA及ⅤA族元素所形成的二元及多元化合物。自五十年代末制备出这类化合物以来,特別是......
磁尺数字显示装置,近十多年来在各国的发展十分迅速。如1984年日本索尼磁尺数显产品的市场占有率,在日本为40%、在美国为3.5%、在......
利用磁阻效应的非易失性存储器MRAM最近开始复苏,全球很多存储器厂商正在加速开发采用自旋注入反磁化方式的新型MRAM(见图1)。在与......
具有高性能、低成本的磁阻材料，特别是非磁性磁阻材料的研究一直是学术界关注的重点问题.目前人们在众多非磁性半导体，特别是Si......
Heusler合金因具有大的磁热效应和磁电阻效应,在磁制冷和磁性传感器领域具有广阔的应用前景。其中,Ni50Mn25+xX25-x(X=In、Sn、Sb)......
磁电阻效应是钙钛矿磁性材料研究的主要性能之一。掺杂是材料改性的一种有效方法。近几年混合卤化物钙钛矿太阳能电池的改性研究,......
针对无刷双馈电机谐波大,效率低的问题,基于齿谐波原理和不等匝绕组理论,提出一种基于混合式转子结构的多跨距复合式的无刷双馈发......
ABO3型钙钛矿锰氧化物对A、B位离子具有一定容忍性,这种材料体系有利于通过对A、B位离子的掺杂与替换制备出新的材料体系来达到对......
2004年,物理学家康斯坦丁诺沃肖罗夫教授和安德鲁盖姆教授初次从实验上分离出单层的石墨烯[1],由此石墨烯的电子性质成为研究热点......
赫斯勒合金材料凭借其高自旋极化和可调控的电子结构等优点在自旋电子学理论及器件应用上受到广泛关注。Co基赫斯勒合金是其中的热......
由于本身的科学意义和在磁信息存储领域的重要应用,比如,随机存储器、高密度读写磁头、超灵敏磁场传感器等,磁阻（magnetoresistance......
学位
碳纳米管有优异的物理、化学性质,近年来它已成为人们研究的热点。碳纳米管有着显著的磁阻效应,此效应可以广泛的应用于纳米电子学......
我们报告了在强磁场条件下用于4.2—50K 温区的三只碳玻璃温度计的可靠性。我们观察到其中两只重复性极差(在25K 时为1.5K)。结果......
研究了射频磁控溅射膜（Ｎｉ＿（８１）Ｆｅ＿（１９）＿（１００－ｘ）Ｎｂ＿ｘ的各向异性磁阻效应ＡＭＲ、矫顽力Ｈ＿ｃ、饱和磁化强度４πＭ，和饱和磁化场Ｈ＿ａ。研究其作为磁阻磁头材料和低磁场高灵敏度材料的......
利用真空下氩气保护液相重结晶的方法，对热蒸镀和磁控贱射制得的Insb薄膜进行热处理．X射线衍射和组织分析的结果表明：热处理前薄膜为I......
利用直流溅射法在(001)LaAIO_3基片上生长了外延的La_(I--x)Sr_xMnO_3(x=0.33)薄膜,薄膜为立方晶系的钙钛矿氧化物,晶格常数为a=39......
研究了ＤｙＮｉ2 Ｂ2 Ｃ薄膜的磁阻效应。试验用的薄膜用脉冲激光烧蚀法制备 ,激光烧蚀用的ＤｙＮｉ2 Ｂ2 Ｃ靶材由标准的电弧熔炼方法制得。采用ＭｇＯ〔0 0 1〕......
本文使用脉冲激光沉积方法在正交的NdGaO3(001)衬底上外延生长了La0.67Ca0.33MnO3薄膜.退火后,由于外延应变引起薄膜正交畸变增强,......
论述了一种新材料一纳米迭层膜材料的研制方法、发展状况、特殊性能及其广泛应用，特别对渐变电位脉冲电沉积方法制备纳米迭层膜材料......
本文提出了一种可以直接在GaASMESFET上测定有源层迁移率分布的方法。这种测定迁移率分布的方法是基于半导体的磁阻效应。推导了测......
随着制造商们积极准备在5年内生产使用磁阻效应的MRAM,这种新型存储器的发展便在不断加速中,主要的电子厂商对MRAM投注了相当的兴......
炉子温度梯度G=125±5°C/cm,不同单向凝固速度(R)制备的掺Te 6×10~(16)/cm~3和不掺Te的InSb-NiSb共晶复合材料,测试它们在不同温......
测量了双掺砷、镓,掺杂浓度～10~(13)cm~(-3),补偿程度～0.9的N型和P型锗在2.5-300K的电导特性和2.5—77K、0—7T磁场下的磁阻.当T......
本文对非晶态Ni-Si-B合金薄膜的霍耳效应和磁阻随磁场变化等电磁性能进行了实验研究。在室温条件下,测量了非晶态Ni-Si-B合金薄膜......
三、多项选择题1.下述传感器中,( )属于被动型传感器。A.采用应变效应制成的传感器B.采用磁阻效应制成的传感器C.采用热阻效应制成......
