电阻率分布相关论文
本文回顾了单晶硅及扩散硅的电阻率温度系数(TCR)的实验结果,认为美国ASTM的TCR曲线是比较完整,确切的.利用规范化多项式拟合方法,......
本文研究选择常规电法、高密度电法和探地雷达等物探方法,探测含恐龙化石层的顶底埋深,电阻率分布、厚度变化、恐龙化石的可能分布......
海洋可控源电磁勘探可以实现对海底地层电阻率分布的精确成像,其工作效能很大程度上取决于电磁发射系统.本文主要介绍中国海洋大学......
针对三种不同空间尺度的介质体模型,通过采用数值模拟实测数据的方法,探讨了根据实测数据建立视电阻率模型的方法,并通过与真实电......
爆轰波在岩层传播的衰减特性使得采空区周围的电阻率分布发生规律性变化。基于此变化规律,使用超高密度电法勘探采空区周围电阻率......
(一)实验 1.620℃低温退火对单晶缺陷的影响 620℃下1h,用OS法对比退火与非退火单晶。 2.停炉条件的影响 单晶收尾后以38.1cm/h的......
主要描述了扩展电阻探针在确定硅片电阻率的微区分布、硅片中施主态氧沉淀的微观分布，及经氧外扩散后，硅片表面区中间隙氧分布等方面......
本文介绍了利用硅中产生热施主的退火，结合磨角和扩展电阻测试，用硅片的电阻率变化的纵向分布，来间接发表征硅片中的氧的深度分布的测......
利用 UHV/CVD技术 ,在较低的温度下 ,在阳极氧化形成的双层多孔硅上 ,成功地生长了单晶性好、厚度均匀、电阻率分布合适的硅单晶外......
本文叙述了真空悬浮区熔硅中磷的变化规律,并对多次区熔后硅中的磷浓度作了测定,得到了残留磷随区熔次数增加而成指数衰减的蒸发曲......
一、前言菱刈矿山地区是北萨地区基础地质调查的一部分。金属矿事业团从1975年开始在这个地区进行有组织的调查,1981年发现高品位......
本文定量分析地温、地下水位变化对视电阻率的影响。首先建立与地温、地下水位变化相应的地电断面,这种断面的电性不是分层均匀的,......
电磁资料的另一种解释方法是将观测数据下延,以构制产生这些数据的地下二维电阻率介质模型。将电磁波波动方程与声波动方程类比可......
依据油田生产中常见的油、水两相电阻率异常差异,提出了一种油水两相流动阵列电阻成像方法。该方法通过测量相邻电极电流激励模式......
针对井周的非均质地层模型，利用三维有限元方法模拟了方位梯度电极系的测井响应。在非均质程度比较小的情况下，各个方位上的响应之间......
本文用２．５维有限元法作正演计算，简要介绍了井间电阻率成象的基本原理和计算方法，通过两个工程勘察实例，其结果证明了该方法的有效性。
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本文提出了一种井间低频电磁波测量方法 ,用于重建地下介质电阻率分布。首先选择一个位于井轴上的垂直磁偶极子作为场源 ,并假设参......
根据捷克和斯洛伐克电磁台站的数据 ,得到波西米亚块体地壳和上地幔的电阻率分布模型。估计电阻率时特别使用了短周期和长周期的电......
概要最近几年,运用地球物理层析成图法勘测平峒间或钻孔间岩体结构的研究,已取得了很大进展,解决了一些复杂的地质问题。本文就日......
目的将电阻率层析成像应用于探测潜伏断层的研究中,本文发现了断层和地下水的一些基本电阻率分布特征,这对于工程物探意义重大。一......
溶洞是遂道施工中的安全隐患,利用高频电磁法沿遂道规划线进行了张量电磁法勘探。研究表明测区灰岩区电阻率呈高阻,电阻率大于4000......
文章介绍了高密度电器探查法的原理 ,测定方法及解析原理 ,并以实例介绍高密度电器探查在空洞调查中的应用效果。
This paper int......
温室气体CO2的捕捉和储存对减缓温室效应具有重大意义。CO2水合物法储存CO2具有效率高、储量大、易运输等优点。为了更高效制备CO2......
音频大地电磁法(AMT)是利用雷电活动所引起的天然电磁场作为场源,是通过在地面测量相互正交的电场和磁场分量,研究地下电性结构的......
覆岩破坏引起稳态电场特征发生变化，其主要变化的电性参数是电阻率。通过建立煤层开采前后覆岩电性参数变化的数学模型，利用二维有限......
目前,井间监测技术正朝着将地层测量从近井区域推向储层深处这一方向发展。油气藏管理人员可以利用根据测量结果获得的层析成像来......
本文主要介绍了为检测石质文物表层劣化程度而研制开发的微电极高密度电阻率测深成像系统的指标参数及电阻率精细成像的基本原理,......
利用Te溶剂法生长x=0.2的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体在300K和77K下的定点霍耳测量。其电阻率ρ的轴向分布和x光萤光光谱法所获x值的轴向分......
日本《电子材料》曾邀约科技界知名人士就电子元器件工业的30个主要技术领域发表短评,探讨其现状,问题及发展前景等。载于该刊1978......
前言多年来,扩展电阻技术在半导体生产与科研中,已成为常规测量工具。它有高的空间分辨率(10~(-10)cm~2),能测试微区电阻率分布和......
在直拉(CZ)法生长的重掺锑硅单晶中,由于锑在硅中的特性,造成无位错(文中指No...
在当前的工业生产中,硅外延的最普遍的方法是SiCι_4+H_2热还原法.由于设备状态、衬底状态和对外延层的要求不同,工艺方法亦不可能......
本文叙述了加热线圈内径计算公式的实际应用及与三相适应的晶体生长工艺。
This paper describes the practical application of ......
关于改善区熔硅单晶径向电阻率不均匀性的工艺报告,共分三篇,即:《小内径加热线圈的提出》、《加热线圈内径计算公式的原理和推导......
本文报道了退火对非掺LEC SI GaAs晶片的电学性能和均匀性的影响。在850℃以上退火,晶片横截面上的平均迁移率由原生晶体的2.64×1......
测量HgCdTe组分均匀性已有许多方法,但有些方法中仪器设备昂贵。而较为简单的方法,只能估算晶片的平均组分,不能测组分分布。我们......
超高密度电阻率法是直流电法勘探一种新的应用,其不受传统的电法装置类型的限制,能够进行地面、井间等方式探测,应用范围广泛。本......
评论了美国科学家C.C. Allen等于1966年发表的“测定外延层电阻率的点接触方法”之论文的局限性,从而提出了本方法。本方法从理论......
鉴于单汞探针C-V法测试半导体材料杂质浓度分布还有不方便之处及不能准确测试n/p;p/n等异型多层结构外延片电阻率分布的弊病,本文......
电位场在地表的变化反映了地下不同介质层的电阻率变化特性,因此本文采用基于电位法下的监测技术对地表电位进行测量,采用基于有限......
