影响NTD硅掺杂精度的因素

来源 :清华大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhuyanyan09eight
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本文在大量实验测量的基础上,对影响NTD硅掺杂精度的因素作了较为详细的研究,给出了一些定量和定性的结果。用这些结果指导清华大学反应堆上NTD硅的生产得到了满意的掺杂精度.在大批量的辐照条件下.对各种目标电阻率硅单晶的掺一杂,电阻率命中率>90%.断面电阻率不均匀度<5%. In this paper, based on a large number of experimental measurements, the factors influencing the doping accuracy of NTD silicon are studied in detail, and some quantitative and qualitative results are given. Using these results to guide the production of NTD silicon on the reactor of Tsinghua University, the doping accuracy is satisfied. Under high-volume irradiation conditions. For a variety of target resistivity silicon single crystal doped mixed, resistivity hit rate> 90%. Cross-sectional resistivity non-uniformity <5%.
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