单电子晶体管相关论文
由于光电方面的应用,半导体纳米材料是近几十年很有潜力的研究领域。由于量子限制效应和大的表面积体积比,纳米材料具有与体材料完......
随着集成电路的集成度不断攀升，集成化器件的特征尺寸已进入纳米级。单电子晶体管(SET)作为一种纳电子器件有着较大的优势，将SET与纳......
本文基于单电子晶体管的I-V特性和类比于CMOS传输晶体管的数字电路设计思想,设计了一个半加器电路,利用单电子晶体管的MIB模型进行......
ＮＴＴ在室温下验证单电子晶体管的工作ＮＴＴ（日本电信电话）ＬＳＩ研究所在３００Ｋ温度已验证硅单电子晶体管的工作。改变栅电压，能使一个一个电子飞向在源漏间......
基于单电子隧道效应的半经典模型，研究了电容耦合三结高温超导单电子晶体管的基本方程，分析了其I－V特性，并对两结和三结高温超导单电子......
在文〔１〕的基础上，讨论了单电子晶体管在两态情况下的散粒噪声的行为和噪声谱与各个电路因子的关系，从而给出了优化单电子晶体管操作......
本文基于电容耦合多个纳米隧道结串联结构的半经典模型，研究了三结单电子晶体管的基本方程，分析了其Ｉ－Ｖ特性，并对三结与两结单电子晶体管......
现在，人们已经具有能制造出为电子仪器行业所利用的越来越小的结构的能力，这种能力使物理学家能够去研究电子被约束在大大缩小了的容......
以ＣＭＯＳ为基础的电路已经成为微电子和计算机工业技术进步的心脏。但面对着摩尔定律的发展规律和不断增加的工艺成本，正在寻求替代ＣＭＯＳ逻辑器......
硅基量子点器件由于其独特的性能以及和硅集成电路相容的特点成为研究的重点。量子点中电子和空穴强的量子限制作用使其表现出一些......
本文在单电子器件半经典的双隧道结模型的基础上 ,通过对主主程的数值求解 ,对 Au纳米粒子组装体系的库仑台阶现象进行了拟合 .单......
在正统理论的基础上,使用主方程法建立了金属结单电子晶体管的器件模型和算法流程.将电容、电阻和温度等参数代入器件模型得到的I ......
低温条件下具有肖特基围栅结构的GaAs基单电子晶体管可重复探测到THz光子的光电流响应.实验表明,2.54THz的CH3OH气体激光垂直入射......
以单电子晶体管为研究对象,系统阐述了库仑阻塞、库仑台阶、单电子隧穿等物理现象的产生机理。微观模拟与宏观建模相结合,着重介绍......
利用单电子晶体管和金属氧化物半导体的混合器件——SETMOS设计实现了细胞神经网络结构的蔡氏电路,得到了单涡卷吸引子和双涡卷吸......
基于单电子隧穿和库仑阻塞效应,研究了硅量子线中的单电子输运特性.利用绝缘体上硅薄膜材料作为衬底构建侧栅结构的硅量子线单电子......
纳米电子技术是纳米技术与电子技术相结合的产物,其发展将极大地推动微电子技术的发展。本文在介绍纳米电子技术的基础上,通过对纳......
单电子晶体管(SET)有望被广泛应用于新一代集成电路技术中。PSpice是一款适用于PC机的电子电路仿真软件,但PSpice标准库不提供SET......
晶体管的本质是通过施加微小电压变化来获取较大的电流变化。新近研制的一种新型晶体管——单电子晶体管——具有很高的放大作用。......
As the development of radar systems developed for the terahertz and higher millimeter region continues to grow,the inter......
单电子晶体管是一种非常重要的器件,在量子计算、电荷探测领域具有重要应用.由于其尺寸极小,很容易受到静电的影响导致损坏,并且对......
集成电路(Integrated circuit,IC)技术近60年的飞速发展,对信息化时代的到来起到了极大的推动作用。但随着器件特征尺寸的不断缩小......
目前在电子设备及仪器中起放大、振荡、开关等作用的电路,大多采用半导体晶体管作为工作器件.随着科学技术的发展,对仪器的精确度......
本文提出一种基于蒙特卡洛的模拟单电子晶体管性质的快速模拟方法.蒙特卡洛方法能真实地模拟单电子晶体管的性质,而目前,蒙特卡洛......
基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了一个混合SET/MOS反相器,进而推出其它基本逻辑门电路,并最终实现......
当器件的尺寸接近纳米尺度时,量子效应对器件工作的影响变得格外重要,就需要采用具有新机理的晶体管结构,单电子晶体管(SET)就是其......
加法器是运算器的重要组成部分,其运算速度、功耗等将直接影响系统的整体性能,单电子晶体管SET具有功耗低、延迟小等优点.在介绍分......
该文基于单电子隧道效应的半经典模型研究了电容耦合三结高温超导单电子晶体管的基本方程，分析了其Ｉ－Ｖ特性，并对两结和三结高温超导单电......
本文论述了我们移植和发展的基于通用集成电路模拟软件SPICE的单电子器件和电路模拟器SJTU-NANO-SESPICE1.0.通过把基于主方程的单......
基于细胞神经网络(CNN)细胞单元的等效电路及其电学特性模型,利用SET-MOS混合结构反相器实现了模型中的激活函数电路,用耦合电容单......
本文研究一些新的基于量子力学原理的器件如量子点细胞自动机(QCA)、单电子晶体管(SET)取代以FET器件为基础超大规模集成电路，主要......
单电子器件以其尺寸小、功耗低和速度快等特点，吸引了国内外大量的研究目光。而由两个纳米隧道结串联而成的单电子晶体管(SET)是至......
当前集成电路器件尺寸已缩小到纳米尺度，在此尺度下，传统体硅CMOS器件的进一步缩小受到来自于器件结构、材料以及工作机理等诸多方面......
单电子晶体管是基于库仑阻塞效应和单电子隧穿效应工作的，它具有尺寸小、速度快、功耗低、可大规模集成等优点。基于SOI结构的单电......
目前，人工神经网络的研究主要是基于布尔逻辑和冯诺曼(VonNeumann)计算体系来进行信息处理的，真正反映神经网络特征的新型器件和电路......
随着半导体集成电路集成度的不断提高，传统微电子器件的应用和发展受到了前所未有的阻碍，而单电子晶体管将有望成为新型集成化器件结......
单电子器件是依据量子隧穿和库仑阻塞两种现象之间的竞争工作的。它主要包括单电子晶体管和单电子存储器。单电子晶体管具有极小的......
当你正为“网上飞人”沾沾自喜时,知道10年后能建立量子互联网吗?知道它的速度有多快吗?在“北京国际周”科学家新世纪论坛上,李......
随着纳米科学和工程技术的发展，在超小的纳米或分子设备中操纵电子电荷及其自旋已成为一个很活跃的研究领域，其目的是为了达到将单个......
