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以NaCl为模板、结合冷冻干燥技术合成了多孔炭复合V2O3纳米材料,研究其用作锂离子电池负极材料的动力学特征,并与商业化活性炭构建......
随着集成电路的集成度不断攀升,集成化器件的特征尺寸已进入纳米级。单电子晶体管(SET)作为一种纳电子器件有着较大的优势,将SET与纳......
近年来,日益复杂的工况和应用环境对电力电子装置的功率密度、功率容量、效率和可靠性等综合性能提出了更加苛刻的要求,研发具有高频......
SiIGBT/SiCMOSFET混合器件的出现打破了碳化硅(Silicon Carbide, SiC)基器件所处的困境,有力地推动了SiC基器件的发展和应用,为电力......
随着功率变换器不断地往高频、高效、高功率密度等方面发展,电子设备的电磁干扰(Electro Magnetic Interference,EMI)问题日渐凸显,其......
针对常规AlGaN/GaN HFET是常开型器件而不适合功率系统应用的问题,提出了一种新型常关型NMOS控制AlGaN/GaN HFET高压功率混合集成......
随着微电子技术的飞速发展,高速大规模集成电路的广泛应用,高速系统的设计也越来越受到重视,本文从实际设计的角度介绍了高速系统......
1 前言rn 许多用户现在要求集成器件,包括新形状和包装、放大和处理电子元件及众多的光学元件。rn 从医学诊断和条码读出器到军事制......
MP3播放器市场的快速发展为微控制器(MCU)应用带来了新的机遇.消费电子设备制造商越来越避免采用专用集成电路(ASIC),因此DSP/MCU......
本文简要阐述COB的结构、性能、特点及应用。...
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本文研究了直流和纵向摇摆器混合磁场中旋转运动电子束与潘民管电磁模式相互作用不稳定性的情况。研究指出指出这种不稳定性基于潘......
安森美半导体推出7款高集成度的三相智能功率模块(IPM),用于白家电及工业应用的电机控制。这系列高集成度混合器件包含所有电源段功能......
TEConnectivity旗下的业务部门TE电路保护部推出创新混合器件2ProAC,为设计人员提供了一种保护敏感的下游电子产品,防止由于过流和过......
随着化石能源的过度使用和开采,随之而来的能源和环境问题也日益尖锐,而人们对能源的需求不减反增,因此寻求一种新型的绿色可持续......
综述了Si IGBT/SiC MOSFET混合器件在门极优化控制策略、集成驱动设计、热电耦合损耗模型、芯片尺寸配比优化和混合功率模块研制等......
本文研究了在直流磁 场和横向摇摆器磁场中,具有大初始横向速度的电子束与波导中潘尼管型电磁波相互作用。 分析指出,存在一种微妙的......
设计了一种WDM-ISO-TAP混合器件,该器件集成了波分复用(WDM)、隔离器和分光耦合三种功能,可以用于掺铒光纤放大器的后向泵浦.对该......
Si IGBT与SiC MOSFET并联组成的Si/SiC混合器件(HyS)因在功率变换器中提供了一种成本与性能的优化折衷而受到广泛关注。其中,SiC M......
高速PCB的设计中,数模混合电路的PCB设计中的干扰问题一直是一个难题。尤其模拟电路一般是信号的源头,能否正确接收和转换信号是PC......