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用扫描遂道显微镜(STM)在以Si为衬底的Ti膜上加工成单电子晶体管结构，在室温下观察到单电子库仑阻塞效应，库仑台阶及振荡现象。在栅端加不同电压，通过STS测试得到栅控的I-V特性。对实验结果进行了实步分析。
单电子晶体管的研制和室温下单电子效应的观察
【摘 要】
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用扫描遂道显微镜(STM)在以Si为衬底的Ti膜上加工成单电子晶体管结构，在室温下观察到单电子库仑阻塞效应，库仑台阶及振荡现象。在栅端加不同电压，通过STS测试得到栅控的I-V特性
【机 构】
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上海交通大学微米/纳米科学技术研究院
【出 处】
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第一届全国纳米技术与应用学术会议
【发表日期】
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2000年期
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