低温沉积相关论文
刚玉结构的α-Al2O3具有高温硬度高,化学稳定性好,电绝缘性高和抗氚渗透性能好等优异的综合性能,在高速钢刀具涂层、微电子领域和......
采用紫外脉冲激光沉积技术和高低温沉积工艺,在LaAlO3(100)平衬底及倾斜衬底上成功制备了c轴取向的(Bi,Pb)2Sr2CaCu2O8[(Bi,Pb)-22......
采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学汽相沉积技术在石墨衬底上低温沉积制备出高质量GaN薄膜,采用三甲基镓(TMGa)和氮气(N......
本文报道了利用电感耦合等离子体辅助中频直流脉冲磁控溅射在温度300℃以下沉积氢化多晶硅薄膜的制备方法.利用拉曼散射、X射线衍......
采用直流射频耦合磁控溅射技术,以氧化锌掺铝(AZO,2%Al_2O_3,质量分数)陶瓷靶为靶材,在玻璃基片上低温沉积AZO薄膜,并采用质量分数......
下颌骨不仅与人体美观密切相关，它还与上颌骨共同承担着咀嚼的功能，此外它对保持呼吸道畅通也起到重要作用，因此，下颌骨缺损的治疗一直......
单片式非制冷红外焦平面阵列（UFPA）技术的发展需求对开发新型性能优良的铁电薄膜及其低温制备技术提出了迫切要求，由于（BaSr）TiO3（简称BS......
有机薄膜场效应晶体管(OTFT，Organic Thin-film Transistor)是一种新型的电子器件，是利用电场来控制固体材料导电性能的有源器件。OT......
氮化镓(GaN)是Ⅲ-Ⅴ族宽带隙半导体材料，晶体结构为六方纤锌矿结构，在室温下的禁带宽度为3.39 eV，在光电子和微电子领域的应用前景广......
全硅叠层太阳能电池是第三代太阳能电池概念中的一种,因与硅工艺兼容而受到普遍关注。其中核心的部分即是带隙可调的硅基介质硅纳......
本工作采用蒙特卡罗(Monte-Carlo)计算机模拟的方法，对以CH_4／H_2为源气体的电子助进化学气相沉积(EACVD)金刚石薄膜中的气相分解过......
多晶硅薄膜以其优异的光电性能和较低的制备成本，在能源信息工业中，日益成为一种重要的电子材料，并被广泛应用于大规模集成电路和半导......
研究输入 C2 H2 +C3H8+Ar+N2 混合气的低温沉积 Ti C涂层真空阴极电弧离子镀技术 ,研究结果表明 :Ti C涂层层深 0 .0 0 5～ 0 .0 0 2......
选取不含 H2 的 Si Cl4 / O2 混合气体作为反应源气体 ,并利用普通的 PECVD技术来实现低温沉积 Si基微米厚度的 Si O2 薄膜 ,测试......
本文对离子束辅助磁控溅射低温沉积的ITO薄膜进行了研究,重点考察了辅助离子束能量对ITO薄膜的光电性能和晶体结构的影响。结果表......
本文中，我们采用空心阴极等离子体增强化学气相沉积（MHC-PECVD）在玻璃、表面溅射氧化铟锡（ITO）的玻璃（玻璃+ITO）以及表面溅射ITO的聚酰亚......
在玻璃衬底上采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜.选用的反应气体为......
普通Se源提供的硒蒸气主要由活性较低的Sen大原子团构成（n≥4）,这不利于生长高质量的CIGS薄膜。理论计算表明,等离子体裂解Se蒸气技......
采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术,保持衬底温度在125℃沉积硅薄膜材料及电池,研究了硅烷浓度、辉光功率等沉积参数......
低温沉积α-Al2O3薄膜是拓展其实际工程应用的关键。本研究以Al、α-Al2O3和Al+15wt%α-Al2O3为靶材,用射频磁控溅射在Si(100)基体......
采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电......
对当前低温沉积陶瓷涂层的技术进行了综述,包括液相沉积法、溶胶-凝胶法等,并分析了各种低温沉积技术的优缺点,展望了低温沉积技术......
采用双极脉冲反应磁控溅射方法在衬底温度300℃的条件下制备了结晶态γ相Al2O3薄膜。借用speedflo闭环控制系统,整个沉积过程持续......
采用离子镀技术于45#钢基体表面在低温（164～115 K）和常温（291 K）条件下沉积Cu膜,通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜研究Cu膜的晶体结构及......
利用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,以SiH4和N2为反应气体进行了氮化硅钝化薄膜的低温沉积技术的研究.采用原子......
采用等离子增强原子层沉积技术在低温下于单晶硅衬底上成功生长了Ga N多晶薄膜,利用椭圆偏振仪、低角度掠入射X射线衍射仪、X射线......
以金属锌(Zn)和铝(Al)为靶材采用射频(RF)反应共溅射技术在低温(200℃)玻璃衬底上沉积了铝掺杂氧化锌(ZnO：A1)薄膜．运用扫描电子显微......
采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法，在玻璃衬底上不同的氢稀释比下低温制备了微晶硅（μc-Si：H）薄膜。利用拉曼（Raman）散射谱研究显示......
采用多元共蒸发工艺,在Mo覆盖的碱石灰玻璃上沉积Cu（InxGa1-x）Se2薄膜。利用X射线衍射仪、霍尔测试仪研究了Cu（InxGa1-x）Se2薄膜的晶体......
液压技术是当今机械制造业中不可或缺的技术手段,但高精度液压元件在恶劣的服役环境下容易发生磨损腐蚀问题,导致零部件产生严重的......
采用氧化亚铜（Cu2O）陶瓷靶,利用射频磁控溅射沉积法在氮气和氩气的混合气氛下制备了N掺杂Cu2O（Cu2O∶N）薄膜,并在N2气氛下对薄膜进行了......
本文综述了国内外脉冲工艺在电弧离子镀和磁控溅射中的应用.脉冲工艺为电弧离子镀净化大颗粒、增强膜基结合力、改善组织形貌、降......
以Ar和H2为溅射气体,采用Si和SiO2双靶活性溅射技术实现了镶嵌纳米晶硅(nc-Si)的富硅氧化硅(SiOx)薄膜的300℃低温生长,并分析了氢......
利用直流和脉冲偏压电弧离子镀技术沉积TiN硬质薄膜,研究了不同偏压下基体的沉积温度、薄膜的表面形貌及力学性能.结果表明,与直流......
机械加工业向高速化、自动化、精密化方向快速发展,对加工用的刀具提出了越来越高的要求,希望在精密、高速以及长寿命的条件下切削......
通过研究连续Se离子束辅助磁控溅射技术,在柔性聚酰亚胺基底上沉积形成CIS薄膜的过程,建立了相应的薄膜沉积模型。在此基础上,以离......
多晶硅（Poly-Si）薄膜以其优异的光电性能与较低的制备成本在能源信息产业中,日益成为一种非常重要的电子材料,在大规模集成电路和半......
在硬质合金与金刚石薄膜之间添加碳化物过渡层是制备高质量金刚石薄膜,提升星际钻探等领域工具使用性能的有效方法。目前常用的高......
采用射频TCP（Transverse coupled pluma）等离子体辅助电子枪蒸发技术首次在室温下制备了氮化铝薄膜，用傅立叶变换红外光谱仪分析了氮......
采用多弧离子镀方法在低温（173K）下沉积了银和银铜薄膜，通过地面原予氧模拟试验系统考察了薄膜的耐原子氧性能，通过x射线衍射仪（XRD）和原......
利用传统陶瓷工艺制备出BST(65/35)倒筒靶,采用射频溅射法沉积薄膜.开展了对Pt/Ti/SiO2/Si基底热处理工艺与BST同质缓冲层研究,总......
通过射频磁控溅射方法，在柔性PET衬底上低温沉积电致变色WOx薄膜。利用X射线衍射（XRD）、紫外-可见光分光光度计、X射线光电子能谱（XPS）......
采用等离子体增强化学气相沉积技术实现了nc-SiOx/SiO2多层结构薄膜在220℃的低温沉积,并对其450℃N2+H2形成气体退火前后的微结构......
采用射频磁控溅射法,在较低的衬底温度(100℃)下,改变溅射时间,制备了一组氧化锌(ZnO)薄膜。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(......
