【摘 要】
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在０—１０Ｔ磁场范围内，系统地测量了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７δ外延薄膜处于磁场平行和垂直膜面两种情况下的ＲＴ曲线和ＩＶ曲线，并对该样品的不可逆线和磁通玻璃线作了直接的比较．结果表明，由不同约化电阻率判据
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院等离子体物理研究所
【基金项目】
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国家超导技术联合研究开发中心（批准号：95预069703）部分资助
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在０—１０Ｔ磁场范围内，系统地测量了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７δ外延薄膜处于磁场平行和垂直膜面两种情况下的ＲＴ曲线和ＩＶ曲线，并对该样品的不可逆线和磁通玻璃线作了直接的比较．结果表明，由不同约化电阻率判据给出的不可逆线和磁通玻璃线遵守相同的Ｈ∝（Ｔ（０）－Ｔ（Ｈ））ｎ关系．对于不可逆线，ｎ＝３／２，对于磁通玻璃线，ｎ＝４／３．不可逆线的位置不仅与判据有关而且与测量电流密度也有关，磁通玻璃线位于不可逆线的下方．探讨了磁通玻璃线与不可逆线间的关系．
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