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通过比较磁控溅射c取向优质外延膜YBa2Cu3O7-δ四周封铟和不封铟样品的低温进氧过程,发现氧不能扩散进入封铟样品,表明薄膜的自由表面阻碍氧扩散进入.薄膜的氧化过程中存在两条氧原子流:主要的氧原子流通过刃位错增强的点阵扩散;少量原子流是沿螺位错的螺旋面点阵扩散进入晶粒内.封铟实验可以区分这两条氧原子流.